发明授权
- 专利标题: 四氧化三钴颗粒的制备方法及煅烧设备
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申请号: CN202110527010.0申请日: 2021-05-14
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公开(公告)号: CN113233515B公开(公告)日: 2023-03-10
- 发明人: 徐伟 , 夏勇 , 田礼平 , 刘人生 , 童秋桃 , 熊铜兴 , 李艳 , 黄凯 , 祝婷
- 申请人: 衢州华友钴新材料有限公司 , 浙江华友钴业股份有限公司
- 申请人地址: 浙江省衢州市高新技术产业园区(二期)廿新路18号;
- 专利权人: 衢州华友钴新材料有限公司,浙江华友钴业股份有限公司
- 当前专利权人: 衢州华友钴新材料有限公司,浙江华友钴业股份有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省衢州市高新技术产业园区(二期)廿新路18号;
- 代理机构: 北京方可律师事务所
- 代理商 郝东晖; 吴艳
- 主分类号: C01G51/04
- IPC分类号: C01G51/04
摘要:
本发明公开一种四氧化三钴颗粒的制备方法,包括煅烧碳酸钴颗粒以得到四氧化三钴的煅烧处理,所述煅烧处理包括:低温煅烧工序,其中将碳酸钴颗粒升温至第一温度以对颗粒进行煅烧;降温促晶化工序,其中将经过所述低温煅烧工序的颗粒在低于所述第一温度的第二温度下保持预定时间;以及高温煅烧工序,其中在高于所述第一温度的温度下对经过所述降温促晶化工序的颗粒继续进行煅烧。本发明还公开一种煅烧设备。本发明的四氧化三钴颗粒的制备方法及煅烧设备通过在煅烧碳酸钴颗粒过程中,在高温煅烧工序之前,设置降温促晶化工序,促进碳酸钴颗粒表面基本转化为四氧化三钴晶体,从而避免煅烧过程中颗粒的粘连和团聚,提高所得四氧化三钴颗粒的质量。
公开/授权文献
- CN113233515A 四氧化三钴颗粒的制备方法及煅烧设备 公开/授权日:2021-08-10
IPC分类: