发明授权
- 专利标题： 生长掺杂IV族材料的方法
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申请号： CN201980078685.2申请日： 2019-12-05
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公开(公告)号： CN113243039B公开(公告)日： 2022-06-28
- 发明人: 黄奕樵 , 埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国; 赵静
- 优先权： 62/782,397 20181220 US
- 国际申请： PCT/US2019/064588 2019.12.05
- 国际公布： WO2020/131392 EN 2020.06.25
- 进入国家日期： 2021-05-28
- 主分类号： H01L21/18
- IPC分类号： H01L21/18 ; H01L21/02 ; H01L21/324 ; H01L21/683
摘要：
本文讨论了用于在半导体装置制造期间通过将基板浸泡在掺杂剂中而形成膜的方法。使用至少一种掺杂剂前驱物在处理腔室中执行掺杂剂浸泡达预定的时间段，以在基板上形成掺杂剂层。随后净化处理腔室中的至少一种掺杂剂前驱物。在净化处理腔室之后，将至少一种膜前驱物引入处理腔室中。在基板上外延形成膜，以具有目标电阻率、掺杂剂浓度和/或厚度的至少一者。后处理操作可包括对半导体膜进行退火或图案化，或在其上沉积附加层。
公开/授权文献
- CN113243039A 生长掺杂IV族材料的方法 公开/授权日：2021-08-10
IPC分类:
