本发明提供一种调节组分平衡的碳化硅晶体生长方法及设备，其设备包括包括腔体、固定在腔体内的石墨坩埚和加热器、生长槽，所述石墨坩埚内水平设置有多孔隔板，多孔隔板将石墨坩埚分为晶体生长腔和辅助腔，晶体生长腔内盛装有碳化硅原料，辅助腔内通过升降组件活动连接有辅助坩埚，辅助坩埚内部盛装有富硅原料；所述加热器对晶体生长腔均匀加热。本发明的设备包括石墨坩埚以及利用升降组件调节的辅助坩埚，随着晶体不断生长，利用升降组件对辅助坩埚的高度进行调节，使其在晶体生长过程中向碳化硅原料中补充硅元素，调节碳化硅原料中碳组分和硅组分的平衡，避免碳化硅晶体发生螺旋错位、层错、微管等缺陷，同时提高碳化硅原料的利用率。