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公开(公告)号：CN116920642B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311183495.1
申请日：2023-09-14
申请人： 苏州优晶光电科技有限公司
IPC分类号： B01F23/60 , C01B32/984 , B01F33/80
摘要： 本发明属于碳化硅晶体生长的衍生技术领域，具体涉及固相合成碳化硅的混料方法及合成方法。混料方法包括：将碳粉和硅粉分别分为预设份数，将每份碳粉和每份硅粉交替铺设至混料容器中，使碳粉和硅粉进行混合处理，得到碳粉、硅粉和磨料的混合料，从混合料中分离出磨料，得到碳粉和硅粉均匀混合后的用于固相合成碳化硅的原料；混合处理过程：依次进行第一混合和第二混合，控制电机进行正转和反转的交替循环运转；磨料为硬质材料切割块，硬质材料切割块包括，体积为0.9cm3 1.1cm3的第一硬质材料切割块和体积为0.45cm~3~0.65cm3的第二硬质材料切割块。本发明的方法能够使碳粉和硅粉充分混合，提高固相合成的出料率。
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公开(公告)号：CN116516468B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310806850.X
申请日：2023-07-04
申请人： 苏州优晶光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种多片碳化硅籽晶涂层同时处理的装置和方法，该装置包括加热机构和籽晶放置机构，加热机构设置有容纳腔；籽晶放置机构可拆卸地放置于容纳腔内；其中，籽晶放置机构包括多个籽晶盒，多个籽晶盒可拆卸地依次重叠放置；籽晶盒包括底盘、垫环和支撑架，垫环设置于底盘的上表面，且环绕底盘的周向延伸，垫环的内周壁与底盘的上表面之间形成容纳空间，垫环用于放置晶片；支撑架与底盘连接，且位于容纳空间内，支撑架用于支撑晶片，且支撑架将容纳空间划分出充气腔。本发明的装置能够用于处理碳化硅籽晶涂层，且能够提高涂层的附着质量和强度，减少裂片的产生。
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公开(公告)号：CN116377596B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310658582.1
申请日：2023-06-06
申请人： 苏州优晶光电科技有限公司
摘要： 本发明属于碳化硅籽晶粘结固定技术领域，具体涉及一种碳化硅籽晶粘结固定用加热装置和加热方法，包括同心定位工装，同心定位工装还包括：金属压块，其位于碳化硅籽晶的远离石墨盖板的一侧，且其侧面与所述金属固定环套接固定；定位压块，其位于所述金属压块与碳化硅籽晶之间，其下表面的中心处设置有向下的弧形凸起；定位部，其设置在所述定位压块的侧面且沿定位压块的圆周方向排布，并沿定位压块侧面向碳化硅籽晶方向延伸至接触石墨盖板顶面的侧面，定位压块、定位部、石墨盖板之间形成爪子型定位槽以容纳碳化硅籽晶；紧固件。本发明在保持碳化硅籽晶和石墨盖板的同心度的同时，既能充分排气又保证了定位压块不变形。
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公开(公告)号：CN116377567B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310651590.3
申请日：2023-06-05
申请人： 苏州优晶光电科技有限公司
摘要： 本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种碳化硅单晶的生长装置及生长方法，生长装置包括坩埚部和加热部：坩埚部包括自上而下同轴设置的第一坩埚部和第二坩埚部，第一坩埚部的顶部的中间设置有籽晶容纳部，第二坩埚部具有空腔，空腔为原料容纳部，第一坩埚部的外径小于第二坩埚部的外径，第二坩埚部的底部中间设置有向第一坩埚部凹陷的凹槽；加热部包括第一加热部、第二加热部和第三加热部；第一加热部周向设置于凹槽内，第二加热部周向设置于第二坩埚部的外侧，第三加热部周向设置于第一坩埚部的外侧，第三加热部的内径小于第二坩埚部的外径。本发明的生长装置能够减少碳化硅单晶中的包裹体、位错密度、微管等缺陷，提高晶体内部质量。
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公开(公告)号：CN116639693A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310905728.8
申请日：2023-07-24
申请人： 苏州优晶光电科技有限公司
IPC分类号： C01B32/984
摘要： 本发明属于碳化硅晶体生长的衍生技术领域，具体涉及一种提高固相合成碳化硅出料率的合成方法，包括使碳化硅产物块体进行破碎、筛分、清洗和干燥后获得碳化硅粉末，所述碳化硅产物块体为固相合成获得的碳化硅产物块体，所述碳化硅粉末的粒度为20目~80目；使碳粉、硅粉和所述碳化硅粉末均匀混合后得到用于所述固相合成的原料，所述原料中，所述碳化硅粉末的质量与碳粉和硅粉的质量之和的比值为0.04~0.2；将所述原料铺设至所述固相合成所用的坩埚内，将所述坩埚放入合成炉中，进行固相合成碳化硅。本发明的方法能够提高碳化硅固相合成出料率。
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公开(公告)号：CN116516468A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310806850.X
申请日：2023-07-04
申请人： 苏州优晶光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种多片碳化硅籽晶涂层同时处理的装置和方法，该装置包括加热机构和籽晶放置机构，加热机构设置有容纳腔；籽晶放置机构可拆卸地放置于容纳腔内；其中，籽晶放置机构包括多个籽晶盒，多个籽晶盒可拆卸地依次重叠放置；籽晶盒包括底盘、垫环和支撑架，垫环设置于底盘的上表面，且环绕底盘的周向延伸，垫环的内周壁与底盘的上表面之间形成容纳空间，垫环用于放置晶片；支撑架与底盘连接，且位于容纳空间内，支撑架用于支撑晶片，且支撑架将容纳空间划分出充气腔。本发明的装置能够用于处理碳化硅籽晶涂层，且能够提高涂层的附着质量和强度，减少裂片的产生。
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公开(公告)号：CN114000198B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111349816.1
申请日：2021-11-15
申请人： 苏州优晶光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种多坩埚碳化硅晶体同步生长方法及设备，其生长设备包括腔体、靠近腔体内壁设置的保温层组件：所述保温层组件将腔体内分隔成若干生长腔，每个生长腔内均设置有独立生长组件；所述独立生长组件包括石墨坩埚、设置在石墨坩埚顶部的籽晶托盘、设置在石墨坩埚外周的加热器件、坩埚底部的驱动组件。本发明涉及的多坩埚碳化硅晶体同步生长设备采用多段式独立控制的石墨加热器发热，取代传统的感应加热方式，可以更加精确地调节坩埚的径向和纵向温度梯度，尤其本发明既能大幅降低碳化硅晶体的生长成本，又能确保单块晶锭的内部质量。
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公开(公告)号：CN113502540A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110733394.1
申请日：2021-06-30
申请人： 苏州优晶光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种牺牲性的碳化硅籽晶的保护膜，包括覆盖在籽晶正面的第一碳化硅多晶膜以及覆盖在籽晶背面的第二碳化硅多晶膜；所述第一碳化硅多晶膜上均匀分布有纳米级通孔；所述第二碳化硅多晶膜为双层复合膜，依次包括第一膜层和第二膜层；所述籽晶背面依次覆盖有第二碳化硅多晶膜、碳膜和石墨纸，所述第二膜层与碳膜相贴合。由于碳化硅多晶膜的缺陷密度大于籽晶，在升温过程中会优先挥发，产生的气体填充在籽晶表面附近，延缓籽晶表面的挥发速度，对籽晶起到保护作用。碳膜的作用在意减小第二膜层暴露的面积，延缓第二膜层的挥发。石墨纸对碳化硅和籽晶托盘起到隔离作用，减小籽晶的应力，防止籽晶和晶体开裂。
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公开(公告)号：CN113249792B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110695211.1
申请日：2021-06-22
申请人： 苏州优晶光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种调节组分平衡的碳化硅晶体生长方法及设备，其设备包括包括腔体、固定在腔体内的石墨坩埚和加热器、生长槽，所述石墨坩埚内水平设置有多孔隔板，多孔隔板将石墨坩埚分为晶体生长腔和辅助腔，晶体生长腔内盛装有碳化硅原料，辅助腔内通过升降组件活动连接有辅助坩埚，辅助坩埚内部盛装有富硅原料；所述加热器对晶体生长腔均匀加热。本发明的设备包括石墨坩埚以及利用升降组件调节的辅助坩埚，随着晶体不断生长，利用升降组件对辅助坩埚的高度进行调节，使其在晶体生长过程中向碳化硅原料中补充硅元素，调节碳化硅原料中碳组分和硅组分的平衡，避免碳化硅晶体发生螺旋错位、层错、微管等缺陷，同时提高碳化硅原料的利用率。
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公开(公告)号：CN113249792A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110695211.1
申请日：2021-06-22
申请人： 苏州优晶光电科技有限公司
摘要： 本发明提供一种调节组分平衡的碳化硅晶体生长方法及设备，其设备包括包括腔体、固定在腔体内的石墨坩埚和加热器、生长槽，所述石墨坩埚内水平设置有多孔隔板，多孔隔板将石墨坩埚分为晶体生长腔和辅助腔，晶体生长腔内盛装有碳化硅原料，辅助腔内通过升降组件活动连接有辅助坩埚，辅助坩埚内部盛装有富硅原料；所述加热器对晶体生长腔均匀加热。本发明的设备包括石墨坩埚以及利用升降组件调节的辅助坩埚，随着晶体不断生长，利用升降组件对辅助坩埚的高度进行调节，使其在晶体生长过程中向碳化硅原料中补充硅元素，调节碳化硅原料中碳组分和硅组分的平衡，避免碳化硅晶体发生螺旋错位、层错、微管等缺陷，同时提高碳化硅原料的利用率。
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