发明授权
- 专利标题： 用于存储装置的写入均衡
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申请号： CN202011297403.9申请日： 2020-11-18
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公开(公告)号： CN113257302B公开(公告)日： 2022-05-17
- 发明人: D·B·彭妮 , G·L·霍韦
- 申请人： 美光科技公司
- 申请人地址： 美国爱达荷州
- 专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人地址： 美国爱达荷州
- 优先权： 16/786,661 20200210 US
- 主分类号： G11C11/4063
- IPC分类号： G11C11/4063 ; G11C11/4076 ; G11C11/409 ; G11C11/4096
摘要：
本申请涉及用于存储装置的写入均衡。一种存储装置包含被配置成从命令接口接收写入命令的写入均衡电路。所述写入均衡电路还从主机装置(例如处理器)接收数据选通DQS信号并且从所述主机装置接收时钟信号。所述写入均衡电路还使用相位检测器来比较所述DQS信号和所述时钟信号的相位。所述写入均衡电路还基于所述写入命令生成内部写信号IWS，并至少部分地基于经比较的相位和所述IWS输出写入均衡操作的捕获结果。
公开/授权文献
- CN113257302A 用于存储装置的写入均衡 公开/授权日：2021-08-13
