- 专利标题： LDMOS器件和形成LDMOS器件的方法
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申请号： CN202110397808.8申请日： 2021-04-13
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公开(公告)号： CN113257889B公开(公告)日： 2022-10-21
- 发明人: 吉扬·永 , 连延杰 , 傅达平 , 邢进
- 申请人： 成都芯源系统有限公司
- 申请人地址： 四川省成都市成都高新综合保税区科新路8号成都芯源系统有限公司
- 专利权人： 成都芯源系统有限公司
- 当前专利权人： 成都芯源系统有限公司
- 当前专利权人地址： 四川省成都市成都高新综合保税区科新路8号成都芯源系统有限公司
- 优先权： 16/851,063 20200416 US
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/78 ; H01L21/336
摘要：
公开了一种具有下沉区连结的LDMOS器件。该LDMOS器件具有掩埋层、第一阱区和连接所述掩埋层和第一阱区的下沉区。LDMOS器件具有沟槽，其上部分由所述第一阱区绕环而其下部分由下沉区环绕。LDMOS器件中还形成有沟槽，使得下沉区可以通过穿过沟槽的离子注入来形成。沟槽填充有非导电材料。利用本发明提出的LDMOS器件，下沉区将更加容易形成，从而使得第一阱区和掩埋层之间的连接更加容易和并且连接得更好。
公开/授权文献
- CN113257889A LDMOS器件和形成LDMOS器件的方法 公开/授权日：2021-08-13
IPC分类:
