Invention Grant
- Patent Title: LED芯片结构、其制备方法以及显示模组
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Application No.: CN202110396768.5Application Date: 2021-04-13
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Publication No.: CN113257966BPublication Date: 2022-05-31
- Inventor: 刘召军 , 莫炜静 , 邱成峰 , 刘时彪
- Applicant: 深圳市思坦科技有限公司
- Applicant Address: 广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区工业园路1号1栋凯豪达大厦十三层1309
- Assignee: 深圳市思坦科技有限公司
- Current Assignee: 深圳市思坦科技有限公司
- Current Assignee Address: 广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区工业园路1号1栋凯豪达大厦十三层1309
- Agency: 深圳中细软知识产权代理有限公司
- Agent 田丽丽
- Main IPC: H01L33/06
- IPC: H01L33/06 ; H01L33/08 ; H01L33/20 ; H01L33/00 ; H01L25/16
Abstract:
本发明公开了一种LED芯片结构、其制备方法以及显示模组,LED芯片结构,包括依次层叠的N型层、量子肼有源层和P型层,所述LED芯片结构还设有若干孔结构,所述孔结构依次贯穿所述P型层和所述量子肼有源层,直至所述N型层内部,所述孔结构内设有量子点,所述量子点位于所述孔结构的底部,所述量子点与所述N型层直接接触且所述量子点不与所述量子肼有源层直接接触。本发明通过将量子点仅填充至N型层内部,将量子点与量子肼有源层和P型层均不直接接触,避免P型层升温对量子点性能的影响。
Public/Granted literature
- CN113257966A LED芯片结构、其制备方法以及显示模组 Public/Granted day:2021-08-13
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