Invention Publication
CN113261145A 半导体装置
审中-实审
- Patent Title: 半导体装置
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Application No.: CN202080008097.4Application Date: 2020-01-06
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Publication No.: CN113261145APublication Date: 2021-08-13
- Inventor: 田岛亮太 , 高桥圭 , 井上广树 , 上妻宗广 , 福留贵浩
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川
- Agency: 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- Agent 秦晨
- Priority: 2019-004842 20190116 JP
- International Application: PCT/IB2020/050043 2020.01.06
- International Announcement: WO2020/148599 JA 2020.07.23
- Date entered country: 2021-07-06
- Main IPC: H01M10/44
- IPC: H01M10/44 ; H02J7/00
Abstract:
提供一种抑制二次电池的劣化的半导体装置。该半导体装置包括二次电池模块及第一电路。二次电池模块包括二次电池及传感器。第一电路包括可变电阻器。传感器具有检测二次电池的温度的功能。第一电路具有判定二次电池的充电电压而输出第一结果的功能、判定传感器所检测的二次电池的温度而输出第二结果的功能、基于第一结果及第二结果决定可变电阻器的电阻大小的功能、通过可变电阻器使充电电压放电的功能以及在充电电压到达指定电压时停止放电的功能。
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