发明授权
- 专利标题: 一种低损耗高频磁介材料及其制备方法
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申请号: CN202110549706.3申请日: 2021-05-20
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公开(公告)号: CN113264759B公开(公告)日: 2022-05-03
- 发明人: 武剑 , 李颉 , 孙亚辉 , 高峰 , 苏豪凯 , 张颖 , 刘颖力
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 成都齐兴真空镀膜技术有限公司
- 当前专利权人地址: 610093 四川省成都市成都高新区高朋大道5号公共秘书平台A-98位
- 代理机构: 电子科技大学专利中心
- 代理商 吴姗霖
- 主分类号: C04B35/32
- IPC分类号: C04B35/32 ; C04B35/622 ; C04B35/64 ; H01Q1/38
摘要:
一种低损耗高频磁介材料,属于电子材料领域。所述磁介材料为Ba3Co2Fe24‑x‑yPrxSmyO41六角晶型铁氧体;x=0.05~0.30,y=0.01~0.10。本发明低损耗高频磁介材料采用溶胶凝胶法制备,实现了低损耗和高频磁介特性,在1MHz~1.8GHz的频率范围内具有低损耗和近等磁介特性(其磁导率和介电常数均在5~15左右,且频段内磁损耗系数和介电损耗系数都低于0.005);该低损耗高频磁介材料作为天线基板时,可以很好地实现天线的小型化和高频化,且有利于提高微带天线的传输效率,降低天线的传输损耗,为高频和集成化的小尺寸无线通信设备的设计提供了新的材料。
公开/授权文献
- CN113264759A 一种低损耗高频磁介材料及其制备方法 公开/授权日:2021-08-17
IPC分类: