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公开(公告)号：CN102847649A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210364656.2
申请日：2012-09-27
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 一种为片式电子元器件表面涂覆保护材料的装置，属于片式电子元器件生产设备。通过直行振动导轨将电子元器件在长度方向密排，用喷涂的方式将元件表面保护浆料涂敷至元件的相邻两个表面上，烘干之后再进行180度翻转，喷涂元件另外两个表面，再烘干出料的全自动涂敷方式，其优点在于可以自动进料，采用高精度的喷枪在元件表面形成一层均匀致密的保护涂敷层，省却了传统方式在涂敷之前需要用有机材料保护元件端头的工艺，提高了生产效率，缩短了元件制造周期且降低了成本。
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公开(公告)号：CN102891625A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210364322.5
申请日：2012-09-27
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC分类号： H02N2/18
摘要： 一种磁电复合能量转换装置，属于能源器件技术领域。所述磁电复合能量转换装置是由磁致伸缩材料和压电材料粘接成的异质结构，通过弹性基板固定在支撑结构中。本发明利用磁电复合结构的磁电耦合效应可以将环境中的电磁能量转换成电能。本发明可用于无人值守环境中，为无线传感器提供电能，免去携带和更换电池的不便；也可用于电磁污染环境的检测和清洁领域。
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公开(公告)号：CN102891625B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210364322.5
申请日：2012-09-27
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC分类号： H02N2/18
摘要： 一种磁电复合能量转换装置，属于能源器件技术领域。所述磁电复合能量转换装置是由磁致伸缩材料和压电材料粘接成的异质结构，通过弹性基板固定在支撑结构中。本发明利用磁电复合结构的磁电耦合效应可以将环境中的电磁能量转换成电能。本发明可用于无人值守环境中，为无线传感器提供电能，免去携带和更换电池的不便；也可用于电磁污染环境的检测和清洁领域。
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公开(公告)号：CN102847649B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210364656.2
申请日：2012-09-27
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 一种为片式电子元器件表面涂覆保护材料的装置，属于片式电子元器件生产设备。通过直行振动导轨将电子元器件在长度方向密排，用喷涂的方式将元件表面保护浆料涂敷至元件的相邻两个表面上，烘干之后再进行180度翻转，喷涂元件另外两个表面，再烘干出料的全自动涂敷方式，其优点在于可以自动进料，采用高精度的喷枪在元件表面形成一层均匀致密的保护涂敷层，省却了传统方式在涂敷之前需要用有机材料保护元件端头的工艺，提高了生产效率，缩短了元件制造周期且降低了成本。
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公开(公告)号：CN101943803A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010218977.2
申请日：2010-07-07
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G02F1/00
摘要： 一种用于太赫兹波调制的结构材料，属于电子技术领域。该结构材料包括介质基板(2)和附着于介质基板(2)表面的电磁共振器阵列(1)；其中介质基板(2)是对太赫兹波高度透明的介质材料基板，电磁共振器阵列(1)是由多个相同形状和尺寸的电磁共振器单元构成的阵列，且每个电磁共振器单元由沉积于介质基板(2)表面的二氧化钒薄膜形成。本发明采用对太赫兹波高度透明的介质材料作为基板，具有非常小且稳定的太赫兹波吸收损耗；采用高速相变材料一二氧化钒薄膜制作电磁共振器阵列，借助于热或激光调制，通过激发二氧化钒薄膜的相变来实现太赫兹波的调制。相对于现有的基于金属电磁共振器阵列的太赫兹调制器，本发明具有更大的调制深度。
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公开(公告)号：CN101913850A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010218528.8
申请日：2010-07-06
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种高磁导率低烧Z型六角铁氧体材料的制备方法，属于电子材料领域，涉及Z型六角铁氧体材料的低温致密化烧结和高磁导率的获得。本发明通过在传统的铁氧体制备工艺过程中引入高效、节能的微波加热方式，借助于微波对烧结过程的活化，有效降低了六角铁氧体的合成温度，促进了烧结过程的致密化，从而达到改善微观结构提高磁导率的目的。采用本发明所述材料可制备各种基于LTCC技术的高频电感、滤波器、天线和微波吸收介质。
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公开(公告)号：CN101319390A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810044640.7
申请日：2008-06-06
申请人： 电子科技大学
摘要： 无铅镥铋石榴石薄膜制备方法，属于电子材料领域，特别涉及石榴石薄膜材料的液相外延制备技术。本发明包括以下步骤：步骤一熔体制备：称量高纯氧化物原料Lu2O3和Bi2O3，研磨，混和后熔化并放置，然后降低温度至生长温度；步骤二清洗GGG基片；步骤三将清洗好的基片与熔体液面保持3－15°，缓慢放入熔体中，准备外延生长；步骤四在生长过程中，基片以60－100转/分的速率转动，达到预设的生长时间后，将基片缓慢提离熔体液面；步骤五生长结束后，将基片高速旋转，以甩掉基片上的残留液滴，然后从外延炉中缓慢提起基片避免由于热膨胀引起薄膜开裂；步骤六将薄膜在热硝酸中清洗以去除残余的Bi2O3助熔剂。
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公开(公告)号：CN100399600C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200410022254.X
申请日：2004-04-08
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种制备纳米晶材料的快速循环晶化(简称RRTA)装置和方法，利用本发明提供的制备纳米晶材料快速循环晶化(RRTA)装置，首先确定薄膜样品17的保温温度Ta，然后，制备出一系列纳米晶材料的快速循环晶化结果，通过对它进行比较分析，就可以得到：循环次数和升温速率与晶粒大小的关系，确定最佳循环次数和最佳升温速率；最后，按照最佳循环次数和最佳升温速率就可以制备出经过快速循环晶化的纳米晶材料。采用本发明提供的方法和装置可以制备出性能优良的纳米晶粒材料。
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公开(公告)号：CN100373531C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200410022261.X
申请日：2004-04-09
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/203 , C23C14/34 , B82B3/00
摘要： 本发明公开了一种制备纳米结的方法，它是通过RF(射频)溅射方法在硅基片上依次镀制两种异质薄膜，然后采用传统慢扩散热处理方法或快速循环热处理方法获得复合成份的纳米结；按照本发明方法可以制备出通过不同的激励源(如：电场、磁场、光场、超声、微波等场)来控制自旋向上、自旋向下电子输运浓度的纳米结，进而制备出高密度量子存储器，纳米二极管，纳米三极管等纳米结器件，这些纳米结器件可广泛用于电子技术领域。
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