- 专利标题: 晶片的黑化方法、黑化后的晶片及声表面波滤波器
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申请号: CN202080007457.9申请日: 2020-09-28
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公开(公告)号: CN113272481B公开(公告)日: 2023-08-15
- 发明人: 刘艺霖 , 林仲和 , 林彦甫 , 黄世维 , 枋明辉 , 杨胜裕
- 申请人: 福建晶安光电有限公司
- 申请人地址: 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
- 专利权人: 福建晶安光电有限公司
- 当前专利权人: 福建晶安光电有限公司
- 当前专利权人地址: 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
- 代理机构: 北京汉之知识产权代理事务所
- 代理商 高园园
- 国际申请: PCT/CN2020/118397 2020.09.28
- 国际公布: WO2022/061884 ZH 2022.03.31
- 进入国家日期: 2021-07-16
- 主分类号: C30B33/00
- IPC分类号: C30B33/00 ; C30B33/02 ; H03H9/64
摘要:
本申请公开了一种晶片的黑化方法、黑化后的晶片及声表面波滤波器,涉及半导体相关技术领域。该晶片的黑化方法包括:对晶片进行还原性处理;采用紫外光照射晶片预定时间;晶片的黑化均匀性DE值介于0.3~0.6;色度L值介于48~54。在本申请中,利用紫外光辅助晶片的黑化制程,能够有效改善晶片的黑化均匀性DE值及色度L值,进而改善晶片的透射率,并提高晶片黑化的良率。其中,对晶片进行还原性处理及采用紫外光照射晶片预定时间的先后顺序可以互换,这两种方法均能提高晶片黑化的良率。
公开/授权文献
- CN113272481A 晶片的黑化方法、黑化后的晶片及声表面波滤波器 公开/授权日:2021-08-17