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公开(公告)号：CN118613133A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410666902.2
申请日：2024-05-28
申请人： 北京大学
IPC分类号： H10N30/076 , H10N30/04 , H03H3/02 , H03H3/08 , C30B29/40 , C30B25/18 , C30B33/12 , C30B33/02 , C30B23/02
摘要： 本发明公开了一种Si衬底上生长高质量Al(Sc)N厚膜的方法，属于半导体技术领域。该方法先使用MOCVD或MBE在Si衬底上进行高质量AlN单晶层的生长，然后借助氧等离子体和热退火在MOCVD/MBE AlN的表层形成α‑氧化铝，最后PVD沉积Al(Sc)N厚膜。本发明充分利用了Si衬底上易剥离AlN与α‑氧化铝上可以生长极好晶体质量的特点，生长了可用于滤波器器件的不开裂的较好晶体质量的Al(Sc)N材料。
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公开(公告)号：CN118610134A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410735757.9
申请日：2024-06-06
申请人： 拉普拉斯新能源科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , C30B33/02
摘要： 本公开涉及半导体或光伏材料技术领域，具体涉及一种舟托运输系统、处理系统和舟托运输方法，解决了由于悬臂桨容易变形，导致悬臂桨承载的舟托无法精准地进出反应炉，舟托运输精度低的问题。该舟托运输系统包括炉外轨道、运输轨道、推舟装置、缓存装置和搬舟装置。炉内轨道、炉外轨道和运输轨道用于承载舟托，推舟装置在炉内轨道、炉外轨道和运输轨道之间运输舟托，搬舟装置在炉外轨道和缓存装置之间运输舟托，实现了舟托的自动化运输，取代了悬臂桨结构承载和运输舟托，避免了由于悬臂桨变形导致的舟托在被运输的过程中产生偏移，使舟托能够被精准地送入或送出反应炉，提高了自动化运输的精度。
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公开(公告)号：CN118600556A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410653793.0
申请日：2024-05-24
申请人： 广东天域半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开一种改善碳化硅外延片翘曲的方法，包括：(1)对翘曲的碳化硅衬底的表面进行清洗；(2)根据外延生长所需的碳化硅衬底的不同翘曲度及翘曲趋势要求，选择相对应的托盘；(3)将托盘及其支撑的碳化硅衬底放入高温热处理设备中，升温进行热处理，使碳化硅衬底变软而使其上未受托盘支撑的部位在重力作用下下坠；(4)对热处理后的碳化硅衬底再次进行清洗。本发明在外延生长之前先对碳化硅衬底的翘曲进行矫正，将超规格的衬底矫正到合格范围内而变成合格品，以提高来料的良率，降低碳化硅外延片的制造成本，并将不同翘曲的衬底改善成同一趋势的翘曲，保证后续外延生长的厚度趋势的一致性。本发明还公开一种专用于前述方法的托盘。
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公开(公告)号：CN118028985B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410200452.8
申请日：2024-02-23
申请人： 扬州提迈电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种快速退火炉系统用双腔结构，属于晶圆加工装置领域。本发明中的腔体结构在石英腔体的上下层均设置有加热灯，并通过单独的灯功率控制器实现对各个灯管的功率调节及控制，采用热衬垫辐射率独立控制的方法，能够更好的实现晶圆温度均匀性控制；本发明中的石英腔体的侧面设有散热模块，利用循环水冷却和排风管冷却的方式对石英腔体进行及时的散热，维持石英腔体温度的稳定和均匀性；本发明中利用气缸结构将石英门进行自动的开合，实现腔体的进料口的自动开启和闭合，设计更为自动化，使用方便；本发明中的腔体结构可根据使用需求设定不同的个数在退火炉中，操作方便，大大提升了退火炉的工作效率。
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公开(公告)号：CN114214729B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202111402223.7
申请日：2021-11-19
申请人： 陕西师范大学
摘要： 本发明将籽晶诱导的熔渗生长SIG和熔融生长法SMG两种块材生长方法结合来实现批量化生产的方法，包括如下步骤：步骤一、准备籽晶；步骤二、SIG制备先驱块：制备支撑块、SIG固相先驱块、SIG液相先驱块、SIG新液相先驱块；步骤三、SMG制备先驱块；步骤四、准备单晶块、垫片；步骤五、装配步骤二和步骤三制备的先驱块；步骤六：在晶体生长炉生长单畴钇钡铜氧块材；步骤七：渗氧处理。该方法既能实现同批次多个块材生长，又能提高籽晶利用率，同时又能极易实现单畴YBCO超导块材的生长；不仅提高了批量化的效率，也提高了籽晶的利用率，生长好的两个单畴YBCO超导块材也能很好的分离。
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公开(公告)号：CN118441351A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410512435.8
申请日：2024-04-26
申请人： 北京中博芯半导体科技有限公司
摘要： 本申请公开了一种在异质衬底上制备AlN膜的方法及AlN膜，涉及半导体材料技术领域。本申请的在异质衬底上制备AlN膜的方法包括以下步骤：S100、在异质衬底上生长AlN初始层；S200、通入金属原子对AlN初始层进行原位退火，即得AlN膜；原位退火的条件包括：金属原子的通入流量为1sccm～10scc m，退火压强为50mbar～200mbar；其中，金属原子中的金属元素选自IIA族元素和/或IIIA族元素中的至少一种。本申请提供的制备方法工艺简单，成本较低，能制得缺陷少，晶体质量高的AlN膜。
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公开(公告)号：CN118272930B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410676639.5
申请日：2024-05-29
申请人： 中山大学
IPC分类号： C30B29/46 , C30B29/60 , C30B33/00 , C30B33/02 , H01L29/24 , H01L29/66 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明属于半导体纳米晶体制备的技术领域，具体涉及一种一维无机原子链的制备方法。本发明利用加热组件，通过加热，使得二维范德华单晶材料InSe或GaSe中原子重构生成具有单原子直径形态的一维原子链，实现了原子尺度下直接从二维硫属化合物材料通过加热相变成一维原子链。本发明制备过程简单易行，为一维原子链材料的制备提供更多的选择，同时制备的产物可广泛应用于基于原子链的半导体纳米器件领域。
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公开(公告)号：CN118407132A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410531062.9
申请日：2024-04-29
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种优化碳化硅厚膜外延片少子寿命的方法，包括：获取碳化硅外延片；对碳化硅外延片的Si面进行加热，得到加热后的碳化硅外延片；通入Ar气，并对加热后的碳化硅外延片进行冷却，得到冷却后的碳化硅外延片；对冷却后的碳化硅外延片进行退火处理，得到退火后的碳化硅外延片；对退火后的碳化硅外延片进行表面处理，得到最终的碳化硅外延片。这种方法可以在相对短时间制备得到少子寿命较强的碳化硅外延片，且可以有效降低成本，在不引入其他深能级缺陷的基础上修复碳空位缺陷引起的深能级缺陷，也不会造成晶格损伤，碳化硅外延层中少子寿命分布均匀，从而实现了少子寿命的增强。
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公开(公告)号：CN118368957A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410455306.X
申请日：2024-04-16
申请人： 苏州材装半导体设备有限公司
摘要： 本发明涉及钙钛矿电池结晶技术领域，尤其涉及钙钛矿电池加热装置及加热控温方法，包括加热组件，所述加热组件包括多个加热模组，所述多个加热模组阵列拼接形成加热面，所述加热面用于提供热源以加热钙钛矿电池；其中，相邻所述加热模组的拼接面贴合设置；各个所述加热模组均具有各自独立的温度控制器，所述温度控制器用于控制调整其所在的所述加热模组的温度，且所述温度控制器控制调整所述加热模组的温度与所述加热模组具有的所述拼接面的数量相关。本发明均温性能优异，能够提高钙钛矿薄膜的成核结晶质量，提高钙钛矿电池的光电转换效率，尤其适用于对大面积尺寸的钙钛矿电池进行退火加热。
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