Invention Grant
- Patent Title: 压力传感器
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Application No.: CN202110189900.5Application Date: 2021-02-18
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Publication No.: CN113280970BPublication Date: 2023-05-02
- Inventor: 濑户祐希 , 小笠原里奈 , 新村悠祐
- Applicant: 阿自倍尔株式会社
- Applicant Address: 日本东京都千代田区丸之内2丁目7番3号
- Assignee: 阿自倍尔株式会社
- Current Assignee: 阿自倍尔株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都千代田区丸之内2丁目7番3号
- Agency: 上海华诚知识产权代理有限公司
- Agent 肖华
- Main IPC: G01L9/00
- IPC: G01L9/00

Abstract:
本发明提供一种压力传感器,其具有高耐压性能,并且通过抑制相对于压力的滞后而使测定误差小,进而灵敏度高、生产率也优异。该压力传感器(1A)具备:隔膜部(10A),其具有承受被测定流体的压力的第1主面(第3下表面(13b)以及位于该第1主面的相反侧的第2主面(第1上表面(11a);壳体(20);以及传感部(30),其将所述隔膜的变形作为电信号输出,所述隔膜部的至少一部分由通过层叠多个薄板构件(11A、12A、13A)而形成的多层结构构成,这些多个薄板构件以如下方式构成:在所述被测定流体的压力被施加于所述第1主面的受压状态下,至少一部分相互压接且各自独立地变形。
Public/Granted literature
- CN113280970A 压力传感器 Public/Granted day:2021-08-20
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