发明公开
- 专利标题: 铜催化刻蚀硅片刻蚀液用添加剂、刻蚀体系及刻蚀方法
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申请号: CN202110459517.7申请日: 2021-04-27
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公开(公告)号: CN113292999A公开(公告)日: 2021-08-24
- 发明人: 李绍元 , 洪世豪 , 马文会 , 吕国强 , 于洁 , 万小涵
- 申请人: 昆明理工大学
- 申请人地址: 云南省昆明市呈贡区景明南路727号
- 专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人: 昆明理工大学
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市呈贡区景明南路727号
- 代理机构: 北京谱帆知识产权代理有限公司
- 代理商 王芊雨
- 主分类号: C09K13/00
- IPC分类号: C09K13/00 ; H01L21/306 ; H01L31/18
摘要:
本发明公开了一种用于铜催化刻蚀硅片刻蚀液的添加剂、刻蚀体系及刻蚀方法,其中,添加剂为包括:金属络合剂、酸度调节剂和水。该酸度调节剂选自柠檬酸、乙酸或磷酸中的一种或几种;该金属络合剂选自乙二胺四乙酸、水杨酸或六次甲基四胺中的一种或几种。刻蚀体系由添加剂与铜催化刻蚀液进行混合制得到。本添加剂所得刻蚀液,与不含添加剂刻蚀液相比,本发明的刻蚀体系对硅片进行刻蚀制绒,刻蚀反应条件更温和,硅片减重率更低,制备得到的硅片表面倒金字塔尖刺减少,结构更加均匀和圆滑,硅片表面反射率能够进一步降低,特别适合未来薄片化硅片的制绒工艺,具有工业实用价值。