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公开(公告)号：CN118480864A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410761201.7
申请日：2024-06-13
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了用于连续直拉法单晶硅生长用液态连续加料装置，属于单晶硅生长领域，所述装置包括：电磁感应加热系统，所述电磁感应加热系统用于将固体硅加热融化成液态硅；供料管道与阀门自动控制系统，所述供料管道与阀门自动控制系统用于输送所述液态硅；单晶硅长晶炉内供料系统，所述单晶硅长晶炉内供料系统用于将输送的所述液态硅分配至长晶炉双坩埚外层。解决了现有单晶硅生长方法中存在加热效率低、供料控制精度低、长晶炉内供料均匀性差、自动化智能化水平低、安全性能低以及维护成本高等方面技术问题，从而导致单晶硅生产的效率、质量和稳定性差的技术问题。
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公开(公告)号：CN118405700A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410579457.6
申请日：2024-05-11
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B33/06
摘要： 本发明涉及一种去除金刚石线切割硅废料氧杂质同时制备高纯二元硅化物的方法，属于硅废料再生利用和硅材料制备技术领域。本发明将金刚石线切割硅废料和纯金属材料X混合均匀得到混合物料，混合物料在惰性氛围中电磁感应加热至混合物料完全熔融得到二元硅化物料熔体；所述纯金属材料X为Ni、Fe、Co、Mn、Ti或Cr；二元硅化物料熔体保温熔炼以实现电磁分离脱氧，得到含二元硅化物X‑Si和富氧残渣的合金锭，合金锭中二元硅化物X‑Si和富氧残渣分离得到高纯二元硅化物合金；所述二元硅化物X‑Si为NiSi2、NiSi、FeSi2、FeSi、Fe5Si3、Co2Si、CoSi、CoSi2、Mn11Si19、MnSi、Mn5Si3、Mn3Si、TiSi2、TiSi、CrSi2、CrSi。本发明可去除金刚石线切割硅废料氧杂质，并将其再生利用制备高纯二元硅化物合金。
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公开(公告)号：CN118109689A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410249723.9
申请日：2024-03-05
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C22B7/00 , C22B1/00 , C22B11/02 , C22B9/02 , C22B9/04 , C22B13/02 , C22B21/00 , H01M10/54 , C01B33/037
摘要： 本发明涉及一种从废弃光伏硅电池片中分别回收银、硅和铝的方法，属于二次资源回收技术领域。本发明将废弃光伏硅电池片机械破碎、研磨得到废弃光伏硅电池片粉料；将捕收剂金属铅和废弃光伏硅电池片粉料混合均匀得到混合物料，混合物料置于氩气气氛下加热，在搅拌条件下进行铅捕集银，固液分离得到含银铅液和固相硅铝混合物；含银铅液在真空条件下加热，进行真空蒸馏实现铅银分离得到金属银和金属铅，金属铅返回作为捕收剂；将固相硅铝混合物进行静电分离实现硅铝分离得到硅和金属铝。本发明可实现分别回收废弃光伏电池片中有价金属银、硅和铝，用作捕集剂的铅可循环利用，具有清洁、高效、流程短等特点。
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公开(公告)号：CN115650239B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202211111564.3
申请日：2022-09-13
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明公开了一种高效去除冶金级硅中杂质的方法，属于硅提纯技术领域。本发明所述方法首先将含硼多晶硅，铜和微量亲硼添加剂铪混合均匀，得到混合物料，在氩气气氛中加入到电阻炉中熔料；待物料完全熔化后进行定向凝固，析出初晶硅晶体富集相及共晶Si‑Cu合金；然后将硅晶体富集相与共晶Si‑Cu合金沿分界面切割分离，得到精炼硅；将精炼硅研磨成硅粉，硅粉依次经王水、HF+HCl混酸酸洗得到高纯硅。相较于现有技术而言，本发明的杂质去除方法不仅能高效的去除B，还能同步去除冶金级硅中的Fe、Al、Ca、Ti、V等杂质，亲硼添加剂铪的去除率可达99.95％，不会对Si造成二次污染。
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公开(公告)号：CN114163468B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202111492158.1
申请日：2021-12-08
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种有机硅单体的制备方法及设备，属于有机硅单体技术领域。本发明采用热管式流化床反应器作为反应设备制备有机硅单体：将原料硅粉预热至290～300℃，和催化剂一起通入热管式流化床反应器的反应腔体内，通入氯甲烷，氯甲烷在催化剂的催化作用下与硅粉反应生成甲基氯硅烷单体并放出热量；热量由热管换热器导出流化床反应器外，经余热回收后再利用。本发明热管式流化床采用闭合环型热管进行换热，换热介质在床内吸热汽化后，沿闭合环形管路自然流出流化床，然后在流化床外自然冷却凝结，重新回流至床内进行下一个吸热汽化循环。
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公开(公告)号：CN117187963A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311005884.5
申请日：2023-08-10
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及半导体材料技术领域，且公开了一种用于单晶硅的退火处理方法，包括对单晶硅棒进行切割获取硅片，对硅片表面进行酸腐清洗，将单晶硅片放入浸泡液中进行浸泡，随即对硅片表面进行五氧化二磷喷涂处理，处理后的单晶硅硅片进行退火处理，处理后将硅片进行酸腐清洗，再结合大量去离子水清洗得到处理后的单晶硅片。本发明提供了一种用于单晶硅的退火处理方法，具备以下有益效果：该用于单晶硅的退火处理方法，可以有效消除单晶硅制备过程中存在的杂质和缺陷，表现为单晶硅的电阻率分布更加均匀位错密度更少。
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公开(公告)号：CN117161070A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311098786.0
申请日：2023-08-29
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本方法公开了一种基于中低温热量利用加速煤矸石碳基矿物腐殖化的方法，所述方法由以下步骤实现；（1）煤矸石堆叠至具备换热结构的反应器或构筑物内；（2）向反应器内通入外源热和氧，对煤矸石进行加热氧化；（3）维持反应器内温度与氧气浓度，煤矸石所含碳基矿物发生氧化，向腐殖质转化；（4）加热后的煤矸石水淬，冷热交替下产生裂纹，结构弱化，转移至振动筛；（5）筛下物为处理产物，腐殖质含量提升，满足土壤使用需求，筛上物转移至反应器，重复步骤（2）～（5）。本发明基于碳基组分在自然环境中的氧化进程，采用控温微氧化调控，促使含氧官能团的大量生成，并防止其完全氧化为CO2，增加中间产物产率，提升处理产物的有机肥效。
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公开(公告)号：CN117038796A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311151834.8
申请日：2023-09-07
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/3065
摘要： 本发明公开的一种硅片表面的倒金字塔结构的制备方法，以下步骤：S1、退火：将硅片进行热退火处理；S2、刻蚀：将硅片浸泡于含有金属溶解液、刻蚀剂、金属离子的刻蚀液中，在光照和超声波环境下反应制备得到刻蚀后的硅片；S3、去除金属颗粒：将刻蚀后的硅片浸泡于金属消除液中，浸泡结束后得到硅片表面的倒金字塔结构。本发明利用光照在硅片表面产生光导效应，激发出电子‑空穴对，诱导反应进行，所加金属溶解液可以不断转换金属颗粒为离子状态，完美达到传统MACE体系的氧化剂所起的作用。超声波对反应均匀性进行了调控，进而制备了倒金字塔结构。反应不需要氧化剂。
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公开(公告)号：CN116876083A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310853453.8
申请日：2023-07-12
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开的一种用于硅片表面绒面制备的添加剂及制备方法，包括形核剂5～500μmol/L(μM)，金属离子分散剂2～200μM，消泡剂1～10mM；形核剂含有季铵盐类化合物，促使其他物质在特定条件下形成晶核；金属离子分散剂与金属离子形成稳定的络合物，从而分散和稳定金属离子；消泡剂含有不同化学结构的表面活性剂或醇类化合物。通过S1、硅片清洗；S2、去氧化层与非晶层；S3、刻蚀；S4、去金属颗粒；制备获得。本发明提供一种复合型添加剂，改善固液界面反应活性和提升物质传输速率，加快刻蚀反应速率，且能有效控制刻蚀的均匀发生；另外通过调整添加剂的用量，可分别获得倒金字塔结构、类船结构和V型槽结构。
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公开(公告)号：CN114164456B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202111492164.7
申请日：2021-12-08
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C25B11/091 , C23C18/18 , C23C18/42 , C25B1/04 , C25B1/55
摘要： 本发明涉及一种利用工业废硅粉制备复合硅纳米结构催化剂的方法及应用，属于硅基催化材料制备技术领域。本发明将工业废硅粉依次进行酸浸除杂和纯化处理得到纯化硅粉；严格控制贵金属离子沉积速率、沉积时间，氧化刻蚀速率和时间，将纯化硅粉进行贵金属辅助化学刻蚀得到复合硅纳米结构颗粒；复合硅纳米结构颗粒分别用去离子水和乙醇清洗，真空干燥得到贵金属纳米颗粒负载的复合硅纳米结构催化剂。本发明采用可控辅助化学刻蚀法制备高比表面积的复合硅纳米结构，用于可见光诱导的光或光电分解水产氢。
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