本发明公开了一种基于放电等离子体辅助冷烧结制备ZnO陶瓷的方法，该方法采用分析纯99.5％的ZnO粉末，取浓度为2mol/L，添加比～10wt％醋酸溶液与ZnO粉料进行混合，充分研磨均匀，倒入石墨模具，施加3.8‑50MPa压力，保压5min后，在真空环境下以50℃/min的速率升温加热至120‑300℃，保温5min。本发明采用放电等离子体辅助冷烧结的方式，得到高致密度的ZnO陶瓷，相对致密度高于98％，其晶粒生长活化能仅为78.8kJ/mol，约为传统高温烧结的三分之一，烧结耗能从传统烧结的78.76MJ降低到0.11MJ，晶界阻抗随烧结温度的升高而下降，从120℃烧结试样的9.82×106Ω下降到250℃烧结试样的2.75×103Ω。