公开了具有贯穿电路通孔(TCV)的集成电路(IC)及其形成方法。IC包括：半导体器件；分别设置在半导体器件的第一和第二表面上的第一和第二互连结构；分别设置在衬底的前表面和后表面上的第一和第二层间电介质(ILD)层；以及设置在第一和第二互连结构、第一和第二ILD层以及衬底内的TCV。TCV通过衬底的部分以及第一和第二ILD层的部分与半导体器件间隔开。布置在衬底的前表面上的TCV的第一端连接到第一互连结构的导线，布置在衬底的后表面上的TCV的第二端连接到第二互连结构的导线。