- 专利标题: 一种铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔及其制备方法
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申请号: CN202110647650.5申请日: 2021-06-10
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公开(公告)号: CN113373404B公开(公告)日: 2022-09-27
- 发明人: 杨自钦 , 何源 , 游志明 , 郭浩 , 熊平然 , 张军辉 , 张生虎
- 申请人: 中国科学院近代物理研究所
- 申请人地址: 甘肃省兰州市城关区南昌路509号
- 专利权人: 中国科学院近代物理研究所
- 当前专利权人: 中国科学院近代物理研究所
- 当前专利权人地址: 甘肃省兰州市城关区南昌路509号
- 代理机构: 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 任晓云
- 主分类号: C23C10/08
- IPC分类号: C23C10/08 ; C23C4/131 ; C25D3/38 ; C23C22/24 ; C23G1/10
摘要:
本发明公开了一种铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔及其制备方法,属于超导技术领域。本发明的铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔的制备方法,包括如下步骤:(1)采用锡蒸汽扩散法由纯铌超导腔制备铌基Nb3Sn薄膜超导腔;(2)在所述铌基Nb3Sn薄膜超导腔外表面沉积铜层;(3)在沉积了铜层的铌基Nb3Sn薄膜超导腔外表面电镀无氧铜,即得到所述铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔。该方法通过在铌基Nb3Sn薄膜超导腔外表面以电镀无氧铜的方式制备得到铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔,成功避免了铜熔点低无法生成高质量Nb3Sn薄膜的缺点;且电镀的无氧铜致密度高、孔隙率低、热反应小。
公开/授权文献
- CN113373404A 一种铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔及其制备方法 公开/授权日:2021-09-10
IPC分类: