本发明涉及半导体制程设备检漏技术领域，尤其涉及一种半导体制程设备的示踪气体检测方法，包括步骤一、确定通风气室内的模拟泄漏点，将示踪气体源接至模拟泄漏点；步骤二、测量并调节通风气室内的负压和排气流量，使其均满足设定条件；步骤三、测量并调节环境风速和示踪气体环境本底浓度，使其均满足设定条件；步骤四、开启示踪气体源，以设定注入流量向模拟泄漏点释放示踪气体；步骤五、在通风气室内的示踪气体达到平衡后，在设定取样点进行多次取样，然后在关闭示踪气体源后进行最后一次取样；步骤六、对取得的样品进行浓度分析，根据样品中的示踪气体浓度最大值判断通风气室的泄漏情况是否合格。具有明确的测试流程，可重复性和精确性高。