发明公开
- 专利标题： 半导体晶体薄膜的制造方法和激光退火系统
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申请号： CN201980090884.5申请日： 2019-03-07
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公开(公告)号： CN113383407A公开(公告)日： 2021-09-10
- 发明人: 妹川要 , 纳富良一 , 若林理 , 池上浩
- 申请人： 极光先进雷射株式会社 , 国立大学法人九州大学
- 申请人地址： 日本栃木县;
- 专利权人： 极光先进雷射株式会社,国立大学法人九州大学
- 当前专利权人： 极光先进雷射株式会社,国立大学法人九州大学
- 当前专利权人地址： 日本栃木县;
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 于英慧; 崔成哲
- 国际申请： PCT/JP2019/009078 2019.03.07
- 国际公布： WO2020/179056 JA 2020.09.10
- 进入国家日期： 2021-07-30
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L21/268 ; H01L21/336 ; H01L29/786
摘要：
本公开的一个观点的半导体晶体薄膜的制造方法包含以下步骤：通过对非晶质半导体照射第1脉冲时间宽度的第1脉冲激光，使非晶质半导体多晶化；以及通过对多晶化的半导体晶体的区域照射比第1脉冲时间宽度短的第2脉冲时间宽度的第2脉冲激光，降低半导体晶体的脊的高度。
IPC分类:
