- 专利标题: 霍尔效应感测器装置和形成霍尔效应感测器装置的方法
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申请号: CN202110184035.5申请日: 2021-02-10
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公开(公告)号: CN113394339A公开(公告)日: 2021-09-14
- 发明人: 孙永顺 , 卓荣发 , 郑萍
- 申请人: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
- 申请人地址: 新加坡,新加坡城
- 专利权人: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
- 当前专利权人: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
- 当前专利权人地址: 新加坡,新加坡城
- 代理机构: 北京戈程知识产权代理有限公司
- 代理商 程伟; 王锦阳
- 优先权: 16/817,623 20200313 US
- 主分类号: H01L43/06
- IPC分类号: H01L43/06 ; H01L43/14
摘要:
本发明涉及霍尔效应感测器装置和形成霍尔效应感测器装置的方法,提供一种霍尔效应感测器装置,包括一个或多个感测器结构。各感测器结构可包括:具有第一导电类型的基层;设置在基层之上并具有与第一导电类型相反的第二导电类型的霍尔板区域;设置在霍尔板区域周围并邻接所述霍尔板区域且与基层接触的第一隔离区域;设置在所述霍尔板区域内的多个第二隔离区域;以及设置在霍尔板区域内的多个终端区域。第一隔离区域和第二隔离区域可以包括电性绝缘材料,并且各相邻对的终端区域可以通过多个第二隔离区域中的一个而彼此电性隔离。
公开/授权文献
- CN113394339B 霍尔效应感测器装置和形成霍尔效应感测器装置的方法 公开/授权日:2024-04-16
IPC分类: