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Invention Grant
CN113428892B 一种简单可控制备超长羟卤铅矿纳米线的制备方法 有权

  • Patent Title: 一种简单可控制备超长羟卤铅矿纳米线的制备方法
  • Application No.: CN202110851266.7
    Application Date: 2021-07-27
  • Publication No.: CN113428892B
    Publication Date: 2023-06-27
  • Inventor: 王伟建
  • Applicant: 王伟建
  • Applicant Address: 广西壮族自治区钦州市钦南区西环南路89号
  • Assignee: 王伟建
  • Current Assignee: 王伟建
  • Current Assignee Address: 广西壮族自治区钦州市钦南区西环南路89号
  • Agency: 合肥利交桥专利代理有限公司
  • Agent 黄珍丽
  • Main IPC: C01G21/00
  • IPC: C01G21/00
一种简单可控制备超长羟卤铅矿纳米线的制备方法
Abstract:
本发明提供一种简单可控制备超长羟卤铅矿纳米线的制备方法，采用去离子水作为溶剂，在一定温度以及搅拌速度下，将PbX2溶解在去离子水中，搅拌几分钟后，静置老化一段时间，即可以获得一维纳米线状沉淀物。其制备过程简单，制备过程无污染，环境友好，且能够将得到的产物直径控制在几百纳米左右。
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