发明授权
- 专利标题： 硬质掩膜的制备方法及硬质掩膜
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申请号： CN202110702158.3申请日： 2021-06-23
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公开(公告)号： CN113436964B公开(公告)日： 2023-04-21
- 发明人: 曾长淦 , 郝立龙 , 王秀霞 , 李林 , 范晓东
- 申请人： 中国科学技术大学
- 申请人地址： 安徽省合肥市包河区金寨路96号
- 专利权人： 中国科学技术大学
- 当前专利权人： 中国科学技术大学
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市包河区金寨路96号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 鄢功军
- 主分类号： H01L21/033
- IPC分类号： H01L21/033
摘要：
本发明公开了一种硬质掩膜的制备方法及硬质掩膜，其中，硬质掩膜的制备方法包括：提供一硅片；在硅片的上表面生长第一氮化硅层，同时，在硅片的下表面生长第二氮化硅层；在第一氮化硅层上生长第一氧化硅层；刻蚀第一氧化硅层和第一氮化硅层形成干刻掩膜面；刻蚀第二氮化硅层形成湿刻掩膜面；在干刻掩膜面生长保护层并在保护层上涂覆密封层；在湿刻掩膜面刻蚀图形并预留支撑层；去除密封层和保护层，在干刻掩膜面按照图形刻穿支撑层，得到硬质掩膜。
公开/授权文献
- CN113436964A 硬质掩膜的制备方法及硬质掩膜 公开/授权日：2021-09-24