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公开(公告)号：CN113817981A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010559376.1
申请日：2020-06-18
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明公开了一种掩膜版及其制作方法，所述制作方法包括：提供具有第一厚度的绝缘基底；在所述绝缘基底的正面形成磁性金属层，在所述绝缘基底的背面形成阻挡层；图形化所述阻挡层，以在所述阻挡层表形成窗口，所述窗口露出所述绝缘基底；基于图形化后的所述阻挡层，将所述窗口露出的所述绝缘基底减薄至第二厚度；图形化所述磁性金属层，在所述磁性金属层对应所述窗口的区域形成多个第一通孔；基于图形化的所述磁性金属层，在所述绝缘基底对应所述第一通孔的位置，形成贯穿所述绝缘基底的第二通孔。应用本发明提供的技术方案，实现了掩膜版的高精度与低形变量。
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公开(公告)号：CN118150865A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410398297.5
申请日：2024-04-02
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本申请提供了一种纳米分辨扫描探针及其制作方法，涉及测量技术领域，包括探针基座、悬臂梁和探针针尖；所述探针基座临近于所述悬臂梁的第一端设置，所述探针针尖临近所述悬臂梁的第二端设置，所述第二端为所述悬臂梁的自由端；基于悬臂梁上对称设计的两个惠斯通电桥，如此能够在不影响其他参数的情况下通过信号叠加，提升信道带宽，提升检测的灵敏度，提升探针的分辨能力，还可以检测悬臂梁的扭转，拓展探针检测摩擦力的功能。此外本申请提供的制作方法生成探针针尖形成具有纳米级曲率半径和高深宽比的针尖，实现纳米级分辨率扫描，更加真实的反应样品表面形貌特征。
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公开(公告)号：CN113512698B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202010279275.9
申请日：2020-04-10
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明提供了一种高精度硅基掩模版及其制备方法，方法包括以下步骤：在硅基底的正面设置保护层后再背面湿法刻蚀开窗，再正面干法刻蚀镂空图形，得到高精度硅基掩模版。本发明通过采取先湿法刻蚀开窗再干刻镂空图形的工艺顺序，可以避免在背面湿刻时破坏正面的精细图形，从而提高掩膜精度。本发明还能精确控制镂空窗口部分的硅层厚度，使得掩膜能够在保证机械强度的情况下尽可能提高掩膜图形的分辨率；并且在背面湿法开窗前在掩膜正面设置保护层，有效地保护了正面图形不被刻蚀液破坏。
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公开(公告)号：CN113512698A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010279275.9
申请日：2020-04-10
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明提供了一种高精度硅基掩模版及其制备方法，方法包括以下步骤：在硅基底的正面设置保护层后再背面湿法刻蚀开窗，再正面干法刻蚀镂空图形，得到高精度硅基掩模版。本发明通过采取先湿法刻蚀开窗再干刻镂空图形的工艺顺序，可以避免在背面湿刻时破坏正面的精细图形，从而提高掩膜精度。本发明还能精确控制镂空窗口部分的硅层厚度，使得掩膜能够在保证机械强度的情况下尽可能提高掩膜图形的分辨率；并且在背面湿法开窗前在掩膜正面设置保护层，有效地保护了正面图形不被刻蚀液破坏。
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公开(公告)号：CN113512697A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010279272.5
申请日：2020-04-10
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明提供了一种高精度硅基掩模版及其加工方法。本发明采用SOI片作为基底，SOI片中间的氧化硅层既可以作为正面深硅刻蚀的截止层，又可以作为背面开窗湿法刻蚀的截止层，可以在背面湿法刻蚀时保护正面的精细图形，有效防止刻蚀液从背面破坏正面的图形；同时采用先干刻正面图形再湿刻开窗的工艺顺序，可以提高正面深硅刻蚀的均匀性，硅片不同区域的刻蚀深度的偏差在5％以内。另外，该方法制备的硅基掩模版的最小线宽为2微米，镂空部分最薄为20微米，机械强度高，可重复利用，图形可定制。
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公开(公告)号：CN113436964A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110702158.3
申请日：2021-06-23
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： H01L21/033
摘要： 本发明公开了一种硬质掩膜的制备方法及硬质掩膜，其中，硬质掩膜的制备方法包括：提供一硅片；在硅片的上表面生长第一氮化硅层，同时，在硅片的下表面生长第二氮化硅层；在第一氮化硅层上生长第一氧化硅层；刻蚀第一氧化硅层和第一氮化硅层形成干刻掩膜面；刻蚀第二氮化硅层形成湿刻掩膜面；在干刻掩膜面生长保护层并在保护层上涂覆密封层；在湿刻掩膜面刻蚀图形并预留支撑层；去除密封层和保护层，在干刻掩膜面按照图形刻穿支撑层，得到硬质掩膜。
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公开(公告)号：CN113436964B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202110702158.3
申请日：2021-06-23
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： H01L21/033
摘要： 本发明公开了一种硬质掩膜的制备方法及硬质掩膜，其中，硬质掩膜的制备方法包括：提供一硅片；在硅片的上表面生长第一氮化硅层，同时，在硅片的下表面生长第二氮化硅层；在第一氮化硅层上生长第一氧化硅层；刻蚀第一氧化硅层和第一氮化硅层形成干刻掩膜面；刻蚀第二氮化硅层形成湿刻掩膜面；在干刻掩膜面生长保护层并在保护层上涂覆密封层；在湿刻掩膜面刻蚀图形并预留支撑层；去除密封层和保护层，在干刻掩膜面按照图形刻穿支撑层，得到硬质掩膜。
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公开(公告)号：CN115753862A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211477044.4
申请日：2022-11-23
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： G01N23/2251 , G01N27/00 , G01N31/00
摘要： 本发明提供一种扫描电镜原位加热和电学测试装置及方法，装置包括丁字样品台，原位加热和电学测试芯片，探针卡，导线，含BNC接口的真空法兰，信号源表，插针，固定螺柱；原位加热和电学测试芯片置于丁字样品上；探针卡按压接触原位加热和电学测试芯片上的加热电极和测试电极并引出导线同时固定原位加热和电学测试芯片；固定螺柱将探针卡固定在丁字样品台上；含BNC接口的真空法兰通过导线连接探针卡和信号源表。本发明提供扫描电镜原位加热、电学测试和微结构观察的功能，具备快速升降温、热飘移和电磁干扰低等优势，为微纳米材料性能测试提供平台，为透射电镜样品初步筛选提供实验平台。
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公开(公告)号：CN115267261A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210960971.5
申请日：2022-08-11
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： G01Q70/16
摘要： 本发明提供了一种曳尾式微悬臂梁原子力扫描探针的制备方法，探针制备的主体为SOI片，正面先通过光刻和干法刻蚀先得到探针针尖结构，再通过光刻套刻和干法刻蚀得到复合梁的结构，最后通过干法刻蚀从背面将有效区域的微悬臂梁悬空释放；实验结果表明，该制备方法制备得到的探针其悬臂梁是包含主梁和内梁的复合梁，复合梁的尺寸、厚度、图形可定制，主梁和内梁之间的最小间距可实现1μm，最小厚度可实现1μm。
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公开(公告)号：CN114994367A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210615916.2
申请日：2022-06-01
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明提供一种曳尾式微悬臂梁结构及样品弹性模量测量方法，所述微悬臂梁结构包括固定端和自由端，其中固定端与微悬臂梁结构的基底相连接，远离所述固定端的另一端没有约束条件，成为自由端；在所述固定端和自由端之间形成大矩形梁，所述大矩形梁具有相对于其长度方向中心线对称的矩形的中心开口，所述中心开口的开口端位于所述固定端；所述自由端形成小矩形梁的固定端；所述小矩形梁位于大矩形梁的中心开口内，且与所述大矩形梁的中心开口的两侧均具有间隙；两侧的所述间隙是相等的。在合适的尺寸组合下，能够在一定接触刚度范围内得到频率随接触刚度基本不变的曳尾式微悬臂梁用于样品弹性模量测量，相对于传统方法大幅提高速度。
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