- 专利标题: 晶片封装用底部填充材料、倒装晶片封装结构及制备方法
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申请号: CN202110735374.8申请日: 2021-06-30
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公开(公告)号: CN113471151B公开(公告)日: 2023-03-17
- 发明人: 伍得 , 王圣权 , 王义 , 廖述杭 , 苏峻兴
- 申请人: 武汉市三选科技有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号海外人才大楼A座17楼1710室
- 专利权人: 武汉市三选科技有限公司
- 当前专利权人: 武汉市三选科技有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号海外人才大楼A座17楼1710室
- 代理机构: 深圳紫藤知识产权代理有限公司
- 代理商 裴磊磊
- 主分类号: H01L23/29
- IPC分类号: H01L23/29 ; H01L23/31 ; H01L21/56
摘要:
本申请公开一种晶片封装用底部填充材料包括50wt%‑65wt%二氧化硅、18wt%‑26wt%环氧树脂、14wt%‑25wt%固化剂、0.5wt%‑2wt%稀释剂、0.1wt%‑1wt%润湿剂及0.5wt%‑0.8wt%促进剂,所述稀释剂选自腰果酚缩水甘油醚、烯丙基缩水甘油醚、丁基缩水甘油醚及苯基缩水甘油醚中的至少一种。所述底部填充材料的稀释剂参与环氧树脂的固化反应,成为环氧树脂固化后的交联网络的一部分,从而对环氧树脂改性。因所述稀释剂具有较强的柔性,在环氧树脂与其反应后,可增强环氧树脂的柔性,从而提高底部填充材料的流动性,使底部填充材料的流速变大。本申请还公开一种倒装晶片封装结构及制备方法。
公开/授权文献
- CN113471151A 晶片封装用底部填充材料、倒装晶片封装结构及制备方法 公开/授权日:2021-10-01