制造晶体管器件的方法

发明公开

CN113474878A 制造晶体管器件的方法审中-实审

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专利标题： 制造晶体管器件的方法
申请号： CN201980079030.7

申请日： 2019-10-14
公开(公告)号： CN113474878A

公开(公告)日： 2021-10-01
发明人: 大卫·萨默兰
申请人： 瑟其福耐斯特有限公司
申请人地址： 英国诺丁汉
专利权人： 瑟其福耐斯特有限公司
当前专利权人： 瑟其福耐斯特有限公司
当前专利权人地址： 英国诺丁汉
代理机构： 北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理商 徐金国; 吴启超
优先权： 1816688.4 20181012 GB 1817199.1 20181022 GB PCT/GB2019/051465 20190529 GB GB.1913638.1 20190920 GB
国际申请： PCT/GB2019/052924 2019.10.14
国际公布： WO2020/074930 EN 2020.04.16
进入国家日期： 2021-05-31
主分类号： H01L21/822
IPC分类号： H01L21/822 ; H01L21/762 ; H01L21/8224 ; H01L27/082 ; H01L29/66 ; H01L21/8222

摘要：

描述了一种利用沟槽(203)细分半导体晶片以便提供独立电隔离区域的方法，所述独立电隔离区域可用于保持以不同电压操作的部件。还描述了一种由沉积在随后图案化的二氧化硅上的多晶硅层形成横向双极型晶体管的集电极区域和发射极区域的掩蔽和蚀刻工艺。

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）