发明授权
- 专利标题: 一种在轨标校质谱仪基础参数的方法
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申请号: CN202110766464.3申请日: 2021-07-07
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公开(公告)号: CN113484401B公开(公告)日: 2022-01-11
- 发明人: 刘子恒 , 李健楠 , 苏菲 , 贺怀宇
- 申请人: 中国科学院地质与地球物理研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路19号中国科学院地质与地球物理研究所
- 专利权人: 中国科学院地质与地球物理研究所
- 当前专利权人: 中国科学院地质与地球物理研究所
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路19号中国科学院地质与地球物理研究所
- 代理机构: 北京高沃律师事务所
- 代理商 李博
- 主分类号: G01N27/62
- IPC分类号: G01N27/62
摘要:
本发明涉及质谱仪基础参数标校技术领域,提供了一种在轨标校质谱仪基础参数的方法,利用硅酸盐矿物在熔融态下可以吸附环境中气体的特点,在真空条件下,将硅酸盐矿物进行加热,得到熔融态硅酸盐矿物;将其置于标准气体的环境中进行吸附,然后迅速冷却得到标准样品,然后将标准样品预装于质谱仪的热控装置中。当质谱仪进入预定轨道后,需要利用质谱仪进行物质测试时,对标准样品进行在轨加热,使吸附的标准气体释放到质谱仪中,实现质谱仪基础参数的标校。由于硅酸盐矿物在加热之前不会释放气体,避免了使用标准气瓶导致的漏气的风险,且无需与气瓶配套的阀门,降低了质谱仪的重量,进而降低了火箭发射成本。
公开/授权文献
- CN113484401A 一种在轨标校质谱仪基础参数的方法 公开/授权日:2021-10-08