发明授权
- 专利标题: 一价铜卤的配位化合物及其薄膜的制备方法
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申请号: CN202110814816.8申请日: 2021-07-19
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公开(公告)号: CN113529112B公开(公告)日: 2022-11-18
- 发明人: 杜克钊 , 许思宇
- 申请人: 福建师范大学
- 申请人地址: 福建省福州市闽侯县上街镇学府南路8号福建师范大学旗山校区
- 专利权人: 福建师范大学
- 当前专利权人: 福建师范大学
- 当前专利权人地址: 福建省福州市闽侯县上街镇学府南路8号福建师范大学旗山校区
- 代理机构: 福州元创专利商标代理有限公司
- 代理商 俞舟舟; 蔡学俊
- 主分类号: C25B3/13
- IPC分类号: C25B3/13 ; C25B3/11 ; C25B3/09 ; C25B3/05 ; C25B3/07 ; C25D9/02 ; C09K11/06
摘要:
本发明属于发光材料技术领域,具体涉及一种一价铜卤的配位化合物及其薄膜的制备方法。其中一价铜卤的配位化合物经过电化学方法合成。将有机配体和卤化盐溶解在溶剂中,配置成电沉积液,采用电化学方法向铜电极施加一个正电压进行沉积,得到一价铜卤的配位化合物。本发明还提供了一种应用所述的器件装置。向处理好的负载铜单质的导电基底施加一个正电压进行沉积,得到负载一价铜卤的配位化合物的导电基底。本发明提供的合成方法简单易行、勿需进一步提纯,符合绿色化学的理念。
公开/授权文献
- CN113529112A 一价铜卤的配位化合物及其薄膜的制备方法 公开/授权日:2021-10-22