公开(公告)号：CN113529112B

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202110814816.8

申请日：2021-07-19

申请人： 福建师范大学

发明人： 杜克钊 ,  许思宇

IPC分类号： C25B3/13 ,  C25B3/11 ,  C25B3/09 ,  C25B3/05 ,  C25B3/07 ,  C25D9/02 ,  C09K11/06

摘要： 本发明属于发光材料技术领域，具体涉及一种一价铜卤的配位化合物及其薄膜的制备方法。其中一价铜卤的配位化合物经过电化学方法合成。将有机配体和卤化盐溶解在溶剂中，配置成电沉积液，采用电化学方法向铜电极施加一个正电压进行沉积，得到一价铜卤的配位化合物。本发明还提供了一种应用所述的器件装置。向处理好的负载铜单质的导电基底施加一个正电压进行沉积，得到负载一价铜卤的配位化合物的导电基底。本发明提供的合成方法简单易行、勿需进一步提纯，符合绿色化学的理念。

公开(公告)号：CN113529112A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110814816.8

申请日：2021-07-19

申请人： 福建师范大学

发明人： 杜克钊 ,  许思宇

IPC分类号： C25B3/13 ,  C25B3/11 ,  C25B3/09 ,  C25B3/05 ,  C25B3/07 ,  C25D9/02 ,  C09K11/06

摘要： 本发明属于发光材料技术领域，具体涉及一种一价铜卤的配位化合物及其薄膜的制备方法。其中一价铜卤的配位化合物经过电化学方法合成。将有机配体和卤化盐溶解在溶剂中，配置成电沉积液，采用电化学方法向铜电极施加一个正电压进行沉积，得到一价铜卤的配位化合物。本发明还提供了一种应用所述的器件装置。向处理好的负载铜单质的导电基底施加一个正电压进行沉积，得到负载一价铜卤的配位化合物的导电基底。本发明提供的合成方法简单易行、勿需进一步提纯，符合绿色化学的理念。