本发明公开了一种垂直转接结构。该垂直转接结构包括：第一上层金属层、第一介质层、第一下层金属层以及位于第一介质层中的信号金属通孔和接地金属通孔。信号金属通孔，为一直径不均匀的金属通孔，一端用于在第一上层金属层与共面波导的信号线垂直连接，另一端用于在第一介质层与基片集成同轴线的信号线垂直连接；所述直径不均匀的金属通孔用于实现基片集成同轴线与共面波导之间的阻抗匹配。接地金属通孔的数量为多个，多个接地金属通孔环绕信号金属通孔设置，每一接地金属通孔的一端与第一上层金属层连接，另一端与第一下层金属层连接。本发明提供的垂直转接结构能够实现基片集成同轴线与共面波导之间的阻抗匹配。