兼容不同负荷水平的电力市场发电商均衡报价方法和系统

    公开(公告)号:CN116433263A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310266678.3

    申请日:2023-03-17

    摘要: 本发明提供了一种兼容不同负荷水平的电力市场发电商均衡报价方法和系统,包括:通过物理采集系统汇总并计算发电成本函数,决定供应函数博弈模型,选取决策变量和非策略变量,在电力交易中心发布负荷参数信息;根据决策变量、非策略变量和负荷参数信息,对市场出现的每种负荷水平建立双层优化模型,并使用EPEC模型转化方法求解相应的均衡点;基于均衡点,通过连结穿越的方式得到一条穿过各种负荷水平下均衡点的报价曲线;对报价曲线进行均衡性质检验与迭代判定。本发明通过迭代流程得到的发电商最终的报价曲线,能够兼容各种负荷水平,并在这些负荷场景下都实现市场均衡,可以大大减少发电商受负荷变化的影响和决策难度。

    一种从带状线到共面波导的渐变转接结构

    公开(公告)号:CN113346213B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202110735417.2

    申请日:2021-06-30

    IPC分类号: H01P5/10

    摘要: 本发明涉及一种从带状线到共面波导的渐变转接结构,包括渐变带状线过渡部分与共面波导过渡部分;渐变带状线过渡部分包括第一上层外导体、第一内导体和第一下层外导体;第一上层外导体设置有非线性渐变缝隙;第一内导体为线性渐变导体,第一内导体设置在非线性渐变缝隙下方;共面波导过渡部分包括第二上层外导体、第二内导体和第二下层外导体;第一上层外导体的非线性渐变缝隙的尖端一侧用于连接带状线;第一上层外导体的非线性渐变缝隙的开口一侧连接第二上层外导体;共面波导过渡部分第二下层外导体与共面波导的下层导体共面连接,共面波导过渡部分第二下层外导体与第二内导体之间的介质基板与共面波导的介质基板连接。本发明提高了回波损耗。

    半模加脊方同轴基片集成波导互连装置

    公开(公告)号:CN113871829A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202111135984.0

    申请日:2021-09-27

    IPC分类号: H01P3/18

    摘要: 本发明提供了一种半模加脊方同轴基片集成波导互连装置,包括自上而下依次设置的金属层L1,介质层L2,金属层L3,介质层L4和金属层L5;在金属层L1与金属层L5之间设置有金属化通孔阵列,所述金属层L3包含一非接地金属和一接地金属,所述接地金属为所述半模加脊方同轴基片集成波导互连装置的脊,所述接地金属被金属化通孔贯穿;所述金属层L3的非接地金属构成内导体;所述金属层L1、金属层L3的接地金属、金属层L5、金属化通孔阵列构成外导体;介质层L2与介质层L4采用介电常数不同的两种介质。本发明使用了两个介电常数,并作为设计参数,使得设计自由度有显著的提升,更能适应复杂的复合介质环境的互连需求。

    加脊方同轴基片集成波导互连装置

    公开(公告)号:CN112186321A

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN202011192626.9

    申请日:2020-10-30

    IPC分类号: H01P3/18 H01P5/00

    摘要: 本发明提供了一种加脊方同轴基片集成波导互连装置,包括外导体、内导体,外导体与内导体之间设置有介质;所述加脊方同轴基片集成波导互连装置的物理结构自上而下分为五层,第一层为金属层L1,第二层为介质层L2,第三层为金属层L3,第四层为介质层L4,第五层为金属层L5。本发明所述的加脊方同轴基片集成波导结构为准封闭式结构,采用TEM模式传输信号,可以用作电路板级/芯片级的互连线电路,相比于方同轴基片集成波导互连结构,本发明所述加脊方同轴基片集成波导互连装置继承了损耗小、时延串扰低、抗电磁干扰能力强的优点,且有效减小了结构尺寸并拓宽的主模带宽,适合于吉比特以上的高速数据传输。

    基片集成同轴波导互连阵列结构

    公开(公告)号:CN105226360B

    公开(公告)日:2018-05-29

    申请号:CN201510524372.9

    申请日:2015-08-24

    IPC分类号: H01P3/18

    CPC分类号: H01P3/06 H01P3/00

    摘要: 本发明提供了一种基片集成同轴波导互连阵列结构,包括至少一个单通道结构,内导体层设置于第一外导体层和第二外导体层之间;第一介质层设置于第一外导体层和内导体层之间,第二介质层设置于内导体层和第二外导体层之间;金属化通孔阵列纵向贯穿构纵向贯穿。第一外导体层、第二外导体层、金属化通孔阵列组成外导体,多个单通道结构在水平、垂直方向形成阵列,共享外导体。垂直方向相邻单通道结构共用同一层外导体层。水平方向相邻单通道结构共用同一列金属化通孔阵列。本发明用作电路板级/封装级/芯片级的互连电路,具有频带宽、时延串扰低、电磁兼容性能好的优点,适合于吉比特以上的高速数据多通道并行传输,并且在横向和纵向具有可扩展性。

    同时测量垂直磁场与垂直电场的双分量近场探头及系统

    公开(公告)号:CN117783702A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311867932.1

    申请日:2023-12-29

    IPC分类号: G01R29/12 G01R33/02

    摘要: 本发明的一种同时测量垂直磁场与垂直电场的双分量近场探头及系统,属于电磁近场测量技术领域,双分量近场探头包括级联的探测部分和传输部分;所述的探测部分和传输部分均包括两层介质层和设置在两层介质层上的三层金属层;所述探测部分包括磁耦合环与两个电耦合单极子,所述磁耦合环通过耦合垂直磁场能量,产生差模信号,两个电耦合单极子通过感应垂直电场能量,产生共模信号;所述传输部分提供良好的阻抗匹配,用于传输所述探测部分的输出信号。本发明实现了垂直磁场与垂直电场同时测量,提高了测量效率,避免了传统单分量探头多次测量带来的误差,同时还提升了空间分辨率。

    微波无源器件的设计方法和装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117272778A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202310856674.0

    申请日:2023-07-12

    摘要: 本发明公开了一种微波无源器件的设计方法和装置,方法包括:确定设计目标及设计参数范围;进行采样生成初始设计参数样本集XI和扩展样本集XU;对XI进行全波仿真计算,得到散射参数并从中提取出电磁特性数据集YI,得到初始设计数据集DI;将DI分为训练集和测试集,训练正向的多层感知机神经网络和高斯过程并计算测试误差;预测XU的设计性能;根据建模精度作为权重,选取其预测值的加权平均数作为扩展设计性能;将扩展设计性能及对应的扩展设计参数作为扩展设计数据集DE;利用DI和DE训练可逆神经网络;根据设计目标生成设计候选值,进行测试验证确定最终设计参数,实现了智能化设计。

    一种紧凑性半模基片集成波导平衡滤波器

    公开(公告)号:CN114171867B

    公开(公告)日:2022-05-20

    申请号:CN202111595534.X

    申请日:2021-12-24

    IPC分类号: H01P1/212 H01P1/20

    摘要: 本发明涉及一种紧凑型半模基片集成波导平衡滤波器,包括半模基片集成波导、金属盲孔阵列和人工表面等离激元结构。金属盲孔阵列和人工表面等离激元结构均位于半模基片集成波导的介质基板中,金属盲孔阵列位于由金属过孔所围成的空间内,人工表面等离激元结构位于金属盲孔阵列上方。本发明通过在半模基片集成波导中引入金属盲孔阵列,并将人工表面等离激元结构刻蚀在金属盲孔阵列上方,实现了对半模基片集成波导慢波特性的调控,解决半模基片集成波导平衡滤波器体积过大、微波电路集成时紧凑度不高、带外特性较差的问题,实现平衡滤波器结构的小型化与良好的带外抑制特性。

    一种单模带宽提升的基片集成波导传输线

    公开(公告)号:CN113764848A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202111091223.X

    申请日:2021-09-17

    IPC分类号: H01P3/18

    摘要: 本发明涉及一种单模带宽提升的基片集成波导传输线。该波导传输线包括:第一介质基板、第一金属贴片、第一金属过孔、第二金属过孔、第二金属贴片、第二介质基板和第三金属贴片。其中,第一介质基板、第一金属贴片、第一金属过孔、第二金属过孔、第二金属贴片形成不同材料填充的金属脊,第一介质基板中设置空气过孔阵列,进而形成脊半模基片集成波导和空气过孔阵列相混合的传输结构,与传统的基片集成波导相比,同时实现横向尺寸的减小和单模传输带宽的提升,此外该混合结构简单紧凑,易于集成,制作方便,适用范围广,在超宽带通信系统中具有广阔的应用前景。

    一种垂直转接结构
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113540733A

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202110825834.6

    申请日:2021-07-21

    IPC分类号: H01P5/10

    摘要: 本发明公开了一种垂直转接结构。该垂直转接结构包括:第一上层金属层、第一介质层、第一下层金属层以及位于第一介质层中的信号金属通孔和接地金属通孔。信号金属通孔,为一直径不均匀的金属通孔,一端用于在第一上层金属层与共面波导的信号线垂直连接,另一端用于在第一介质层与基片集成同轴线的信号线垂直连接;所述直径不均匀的金属通孔用于实现基片集成同轴线与共面波导之间的阻抗匹配。接地金属通孔的数量为多个,多个接地金属通孔环绕信号金属通孔设置,每一接地金属通孔的一端与第一上层金属层连接,另一端与第一下层金属层连接。本发明提供的垂直转接结构能够实现基片集成同轴线与共面波导之间的阻抗匹配。