发明授权
- 专利标题: 一种功率二极管器件
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申请号: CN202111107648.5申请日: 2021-09-22
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公开(公告)号: CN113555416B公开(公告)日: 2021-12-31
- 发明人: 冯永 , 李健儿 , 冯艾城 , 胡仲波 , 马瑶 , 黄铭敏 , 李芸 , 陈昶
- 申请人: 四川上特科技有限公司
- 申请人地址: 四川省遂宁市射洪县河东大道88号
- 专利权人: 四川上特科技有限公司
- 当前专利权人: 四川上特科技有限公司
- 当前专利权人地址: 四川省遂宁市射洪县河东大道88号
- 代理机构: 成都诚中致达专利代理有限公司
- 代理商 阮涛
- 主分类号: H01L29/06
- IPC分类号: H01L29/06 ; H01L29/868
摘要:
一种功率二极管器件,其元胞结构包括:n型轻掺杂浓度的漂移区,所述n型轻掺杂浓度的漂移区的上部平面相接触的设有阳极结构,所述n型轻掺杂浓度的漂移区的下部平面相接触的设有阴极结构,所述阳极结构由至少一个p型重掺杂浓度的阳极区和至少一个的p型中等掺杂浓度的槽型阳极区构成,所述阴极结构由至少一个n型重掺杂浓度的阴极区和至少一个p型重掺杂浓度的阴极区构成,所述p型重掺杂浓度的阴极区与所述n型重掺杂浓度的阴极区通过第一背面槽型介质区以及第二背面槽型介质区相互隔离。本发明与普通PiN功率二极管相比,本发明提供的功率二极管能够降低反向恢复电荷以及提高反向恢复软度,消除反向恢复过程中的电流和电压的震荡。
公开/授权文献
- CN113555416A 一种功率二极管器件 公开/授权日:2021-10-26
IPC分类: