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公开(公告)号：CN118635111B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411125911.7
申请日：2024-08-16
申请人： 四川上特科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶圆裂片颗粒筛选分级装置，涉及筛分技术领域，包括：连接件包括立柱和支架，筛盘两侧壁上下滑动配合于支架，支架上设有水平轴，水平轴上同轴设有圆板，立柱转动设于底座顶部，立柱上固定套设有块体，立柱外设有第一扭簧，第一扭簧两端连接底座与块体，块体一侧设有基轴，水平轴端部转动连接于基轴，基轴外设有第二扭簧，第二扭簧两端连接块体与圆板；第一收集盘位于筛盘下方，筛盘连接有激振器；动力机构设于底座，用于使立柱转动预设角度，以使筛盘移动至第二收集盘上方；当筛盘移动至第二收集盘上方时，动力机构还用于转动水平轴，以使筛盘翻转预设角度。本方案可以自动筛分，自动倒掉筛盘内的晶粒。
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公开(公告)号：CN118398536B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410831161.9
申请日：2024-06-26
申请人： 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 一种晶圆清洗花篮，属于晶圆片的专用载体技术领域，花篮包括：两个框体，框体均布有至少三根相互平行的支撑杆，支撑杆的两端分别连接于两块端板，两个框体顶部的一侧边转动相连。支撑杆上均沿长度方向阵列套设有多个夹套，相邻夹套之间均套设有衬套，两个框体上的夹套与衬套沿着支撑杆的长度方向错位设置；夹套包括同轴设置的两片环形结构的侧压板，两块侧压板相对一侧的内圈之间通过一鼓形套相连，鼓形套具有弹性，其中部沿圆周向外拱起。两个框体盖合之后，沿支撑杆同一截面上的衬套与鼓形套外表面之间形成的最小圆形轨迹的内径小于晶圆的外径。本方案可在清洗时进行翻转或摆动，并能防止晶圆掉落，并且晶圆的装取更加方便。
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公开(公告)号：CN118692971A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411188176.4
申请日：2024-08-28
申请人： 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 一种晶圆裂片装置，涉及半导体加工领域，包括：工作台，顶面设有一端设有开口的凹部，凹部中设有通孔；承载机构，包括转动安装于通孔中并竖直移动的承载座，用于承载覆膜的晶圆；裂片机构包括设于凹部上方并竖直移动的升降架，升降架上设有压杆；升降架中心设有绕通孔轴线转动的连接架，连接架底部设有滚压轮，用于使晶圆裂开；上料机构，包括设于凹部开口侧并绕自身轴线间歇转动的转动架，转动架上沿其轴线方向设有多个承载部，用于承载覆膜的晶圆，转动架与工作台之间设有推板，用于推送覆膜的晶圆；限位机构包括设于凹部的开口处并竖直移动的挡板，用于对覆膜的晶圆侧边限位。能够自动对晶圆进行裂片处理，在提高效率的同时保证晶圆完全裂开。
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公开(公告)号：CN118507482B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410963002.4
申请日：2024-07-18
申请人： 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L21/822
摘要： 一种大电流瞬态抑制组合器件及其成型方法，涉及半导体器件领域，器件包括：顶面设有N‑外延层的P++半导体衬底；多个第一P++隔离阱；D1二极管；多个互相串联的D3二极管；D2二极管和/或D4二极管；方法包括步骤：准备P++半导体衬底；在P++半导体衬底表面形成N‑外延层后进行下一步，或在P++半导体衬底表面形成N‑外延层后，在N‑外延层注入N型离子形成N++埋层，再在两个第一P++隔离阱之间注入N型离子形成多个N++阱，然后再进行下一步；对N‑外延层注入P型离子形成第一P++隔离阱；在第一P++隔离阱之间注入N型离子形成多个N+区；在部分第一P++隔离阱之间注入P型离子形成多个P+区；用导线连接各部件。实现正向导通开启电压的叠加，更易控制钳位电压。
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公开(公告)号：CN118380350B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410809623.7
申请日：2024-06-21
申请人： 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本申请提供一种晶圆揭膜装置，包括转盘，沿其外周的一面依次间隔设置的上料机构、揭膜机构、取料机构，沿转盘外周的另一面依次设有三个移动部，上料机构、揭膜机构、取料机构依次对应设于一个移动部上；转盘绕自身轴线转动设置其上设有定位部，定位部包括多个限位组件；揭膜机构用于揭膜，上料机构用于向定位部放置待揭膜的晶圆，取料机构用于将揭膜后的晶圆取下；移动部包括基座，其上设有气缸，气缸的输出端设有L型的移动板，用于推动限位组件，以解除晶圆的限位。使用本申请提供的方案先降低保护膜的粘性，再搓动保护膜，并将搓起的保护膜卷起，以确保保护膜被完全揭下，避免人工二次操作，效率高。
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公开(公告)号：CN118238065B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410676896.9
申请日：2024-05-29
申请人： 四川上特科技有限公司
摘要： 一种晶圆存储装置，属于专门适用于处理半导体用晶圆的设备，其包括箱体，箱体呈长条状矩形结构，箱体内设有多个储放单元，通过所提供的储放单元能对多片晶圆进行定位，并且还对晶圆进行有效的防护，最重要的是能对所转移晶圆的抛光面进行润湿，以降低抛光液对晶圆抛光面的影响。本发明在进行晶圆盘的转移时，能对晶圆盘进行有效的防护，从而确保转移时的安全性，并且在转移时通过在晶圆抛光面上形成去离子水膜的方式对晶圆的抛光面进行润湿，以免抛光液对晶圆造成不良影响。
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公开(公告)号：CN118398536A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410831161.9
申请日：2024-06-26
申请人： 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/687 , H01L21/67
摘要： 一种晶圆清洗花篮，属于晶圆片的专用载体技术领域，花篮包括：两个框体，框体均布有至少三根相互平行的支撑杆，支撑杆的两端分别连接于两块端板，两个框体顶部的一侧边转动相连。支撑杆上均沿长度方向阵列套设有多个夹套，相邻夹套之间均套设有衬套，两个框体上的夹套与衬套沿着支撑杆的长度方向错位设置；夹套包括同轴设置的两片环形结构的侧压板，两块侧压板相对一侧的内圈之间通过一鼓形套相连，鼓形套具有弹性，其中部沿圆周向外拱起。两个框体盖合之后，沿支撑杆同一截面上的衬套与鼓形套外表面之间形成的最小圆形轨迹的内径小于晶圆的外径。本方案可在清洗时进行翻转或摆动，并能防止晶圆掉落，并且晶圆的装取更加方便。
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公开(公告)号：CN118238065A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410676896.9
申请日：2024-05-29
申请人： 四川上特科技有限公司
摘要： 一种晶圆存储装置，属于专门适用于处理半导体用晶圆的设备，其包括箱体，箱体呈长条状矩形结构，箱体内设有多个储放单元，通过所提供的储放单元能对多片晶圆进行定位，并且还对晶圆进行有效的防护，最重要的是能对所转移晶圆的抛光面进行润湿，以降低抛光液对晶圆抛光面的影响。本发明在进行晶圆盘的转移时，能对晶圆盘进行有效的防护，从而确保转移时的安全性，并且在转移时通过在晶圆抛光面上形成去离子水膜的方式对晶圆的抛光面进行润湿，以免抛光液对晶圆造成不良影响。
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公开(公告)号：CN115547915B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202211497707.9
申请日：2022-11-28
申请人： 四川上特科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/677
摘要： 一种晶圆曝光夹具及曝光装置，属于晶圆生产设备技术领域，曝光夹具包括底板及掩膜框，掩膜框的底面设有掩膜片。底板的底部开设有贯穿槽，贯穿槽垂直于底板的前后端面，底板的前后端面均开设有条形孔，且条形孔与贯穿槽连通，底板的两侧均垂直穿设有伸缩杆，伸缩杆的前端位于贯穿槽内，伸缩杆的后端具有卡槽，卡槽的延伸方向与贯穿槽平行。掩膜框设于底板上，掩膜框的底面对应伸缩杆均设有连接部，连接部滑动连接于伸缩杆的后段，伸缩杆沿长度方向移动设置，同时带动掩膜框沿垂直于底板的方向移动。曝光装置，包括进料机构、输送机构、曝光机上述的曝光夹具。曝光夹具对晶圆具有良好的定位夹持效果，曝光装置可极大的提高生产效率。
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公开(公告)号：CN110518032B
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN201910824277.9
申请日：2019-09-02
申请人： 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川上特科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多晶硅SOI基板型光电耦合器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层多晶硅，顶层多晶硅通过低压力化学气相沉积法淀积在第一衬底上；光电耦合器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层多晶硅中的多晶硅光源。本发明还公开了上述光电耦合器的制作方法，并进一步公开了上述光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的多晶硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电耦合器可以与电路集成在同一个衬底上，多晶硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度。本发明适用于光电耦合器的集成技术领域。
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