- 专利标题： 一种通过渐变栅实现多阈值调制技术的HEMT器件及制备方法
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申请号： CN202110769588.7申请日： 2021-07-07
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公开(公告)号： CN113555430A公开(公告)日： 2021-10-26
- 发明人: 马晓华 , 刘思佳 , 宓珉瀚 , 王鹏飞 , 张濛 , 侯斌 , 杨凌 , 周雨威
- 申请人： 西安电子科技大学
- 申请人地址： 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 代理机构： 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理商 刘长春
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L21/335 ; H01L29/423
摘要：
本发明涉及一种通过渐变栅实现多阈值调制技术的HEMT器件及制备方法，该HEMT器件包括衬底层(1)；插入层(2)，位于所述衬底层(1)上；缓冲层(3)，位于所述插入层(2)上；源电极(4)，位于所述缓冲层(3)的一端；漏电极(5)，位于所述缓冲层(3)的另一端；势垒层(6)，位于所述缓冲层(3)上，且位于所述源电极(4)和所述漏电极(5)之间；钝化层(7)，覆盖在所述源电极(4)、所述漏电极(5)和所述势垒层(6)上；栅电极(8)，位于所述势垒层(6)的表面和所述钝化层(7)的表面，其中，所述栅电极(8)的栅脚(81)贯穿所述钝化层(7)，且所述栅脚(81)采用沿栅宽方向栅长渐变的渐变栅结构。该HEMT器件的线性度得到了改善，实现了高线性HEMT器件，满足了高频、高线性的应用需求。
公开/授权文献
- CN113555430B 一种通过渐变栅实现多阈值调制技术的HEMT器件及制备方法 公开/授权日：2023-01-24
IPC分类:
