发明公开
- 专利标题: 一种高稳定的无铅压电陶瓷及其制备方法
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申请号: CN202110789602.X申请日: 2021-07-13
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公开(公告)号: CN113563073A公开(公告)日: 2021-10-29
- 发明人: 姜知水 , 文理 , 董进杰
- 申请人: 广东捷成科创电子股份有限公司
- 申请人地址: 广东省肇庆市端州区121区前村路南侧厂房A、B幢
- 专利权人: 广东捷成科创电子股份有限公司
- 当前专利权人: 广东捷成科创电子股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省肇庆市端州区121区前村路南侧厂房A、B幢
- 代理机构: 广州浩泰知识产权代理有限公司
- 代理商 杨喆
- 主分类号: C04B35/495
- IPC分类号: C04B35/495 ; C04B35/622 ; C04B35/64 ; C04B41/88 ; H01L41/187 ; H01L41/39 ; H01L41/43
摘要:
本发明涉及一种高稳定的无铅压电陶瓷,所述无铅压电陶瓷的化学式如下:(1‑x‑y)(0.50KNbO3‑0.50NaNbO3)‑xMgTiO3‑yBa(Zr0.5Ti0.5)O3+zSm2O3;其中,x=0.03~0.07,y=0.04~0.08,z=0.008~0.02。该无铅压电陶瓷采用一种工艺简单、高效率、低能耗、成本低廉且很具实用性的无铅压电陶瓷的制备方法,制得的KNN‑MT‑BZT无铅压电陶瓷烧后的晶粒为菱形,而且晶粒平均晶粒为3微米,取代之前的KNN体系的烧后的四方形晶粒,密度更高,性质稳定、致密、性能良好。
公开/授权文献
- CN113563073B 一种高稳定的无铅压电陶瓷及其制备方法 公开/授权日:2023-12-05
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