发明公开
- 专利标题: 一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极
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申请号: CN202110872823.3申请日: 2021-07-30
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公开(公告)号: CN113584449A公开(公告)日: 2021-11-02
- 发明人: 汪建 , 杜寅昌 , 李成 , 程厚义 , 赵巍胜 , 张悦
- 申请人: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
- 申请人地址: 安徽省合肥市新站区文忠路999号
- 专利权人: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
- 当前专利权人: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市新站区文忠路999号
- 代理机构: 合肥天明专利事务所
- 代理商 苗娟
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35
摘要:
本发明的一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极,包括靶材、磁体、磁轭及靶座,还包括运动机构;靶材安装在靶座上方,磁体安装在磁轭上,位于靶座下方,磁体与阴极中轴偏心安装,即磁体中心与阴极中轴不重合;运动机构设置在磁轭的下方,磁轭连接到运动机构上,运动机构牵引磁轭从而带动磁体绕阴极中轴螺旋式周期旋转运动,旋转半径逐渐增大。本发明的磁体及磁轭通过运动机构实现螺旋式周期运动,靶材表面磁场同步螺旋式周期运动,靶材被均匀刻蚀,利用率大幅提高。
公开/授权文献
- CN113584449B 一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极 公开/授权日:2023-07-28
IPC分类: