Invention Grant
- Patent Title: 一种W-Ni-Sn-P-Cu基复合粉体及其制备方法和应用
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Application No.: CN202110859733.0Application Date: 2021-07-28
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Publication No.: CN113649566BPublication Date: 2022-11-25
- Inventor: 罗国强 , 郭景伟 , 李远 , 孙一 , 张建 , 沈强 , 张联盟
- Applicant: 武汉理工大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- Assignee: 武汉理工大学
- Current Assignee: 武汉理工大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- Agency: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- Agent 李欣荣
- Main IPC: B22F1/17
- IPC: B22F1/17 ; C22C1/04 ; C23C18/48
Abstract:
本发明公开了一种Cu@Ni‑Sn‑P@W复合粉体,采用化学镀工艺,首先在W粉表面同时镀覆Ni‑Sn‑P镀层,实现活化烧结元素Ni、Sn和P的定区域添加,再定量包覆Cu,获得Cu@Ni‑Sn‑P@W复合粉体,最后将其作为原料在低温烧结条件下获得结构均匀且致密的W‑Ni‑Sn‑P‑Cu复合材料,并可进一步提升W‑Ni‑Sn‑P‑Cu复合材料的性能。本发明所得W‑Ni‑Sn‑P‑Cu复合材料结构均匀且致密,致密度高达98%以上,维氏硬度可达269.1HV,抗弯强度可达1154.8MPa;且涉及的制备工艺较简单、操作方便,能耗较低,适合推广应用。
Public/Granted literature
- CN113649566A 一种W-Ni-Sn-P-Cu基复合粉体及其制备方法和应用 Public/Granted day:2021-11-16
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