- 专利标题: 一种应用于低功耗LDO的漏电流补偿电路及方法
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申请号: CN202110824920.5申请日: 2021-07-21
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公开(公告)号: CN113672024A公开(公告)日: 2021-11-19
- 发明人: 曹亦栋 , 王秀芝 , 王宗民 , 马建华 , 孔瀛 , 李阳 , 马佩 , 柏晓鹤
- 申请人: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
- 申请人地址: 北京市丰台区东高地四营门北路2号;
- 专利权人: 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- 当前专利权人: 北京时代民芯科技有限公司,北京微电子技术研究所
- 当前专利权人地址: 北京市丰台区东高地四营门北路2号;
- 代理机构: 中国航天科技专利中心
- 代理商 马全亮
- 主分类号: G05F3/26
- IPC分类号: G05F3/26
摘要:
本发明涉及一种应用于低功耗LDO的漏电流补偿电路及方法。LDO工作于高温、大输入电压和极低负载电流的情况下漏电流补偿电路打开,在电路典型工作状态下本漏电流补偿电路停止工作。本发明中漏电流供应源用于成比例地实时监测和跟随功率管的漏电流,开关控制电路用于实时地监测电路的工作状态,在电路工作在高温、大输入电压和极低负载电流时,打开漏电流供应管。漏电流供应管用于向LDO提供漏电流,使得LDO的负载电流在与功率晶体管漏电流数量级相近时仍然能保持正确的输出。
公开/授权文献
- CN113672024B 一种应用于低功耗LDO的漏电流补偿电路及方法 公开/授权日:2022-11-01
IPC分类: