发明授权
- 专利标题： 多电弧室的源
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申请号： CN202080029341.5申请日： 2020-04-16
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公开(公告)号： CN113692636B公开(公告)日： 2024-05-07
- 发明人: 约书亚·阿比沙斯 , 尼尔·巴瑟姆 , 卡米拉·兰伯特 , 迦勒·贝尔 , 凯尔·海因兹 , 迦勒·威士
- 申请人： 艾克塞利斯科技公司
- 申请人地址： 美国马萨诸塞州比佛利市樱桃山大道108号
- 专利权人： 艾克塞利斯科技公司
- 当前专利权人： 艾克塞利斯科技公司
- 当前专利权人地址： 美国马萨诸塞州比佛利市樱桃山大道108号
- 代理机构： 北京中原华和知识产权代理有限责任公司
- 代理商 张琳; 寿宁
- 国际申请： PCT/US2020/028427 2020.04.16
- 国际公布： WO2020/214759 EN 2020.10.22
- 进入国家日期： 2021-10-15
- 主分类号： H01J37/317
- IPC分类号： H01J37/317 ; H01J37/08
摘要：
一种用于离子注入系统的离子源具有多个电弧室。离子源基于多个电弧室中的相应一个电弧室相对于束线的位置而形成出自该多个电弧室中的该相应一个电弧室的离子束。电弧室耦接到转盘，转盘将该多个电弧室中的该相应一个电弧室平移或旋转到与束线相关联的束线位置。该多个电弧室中的一个或多个电弧室可以具有至少一种独特的特征，或者该多个电弧室中的两个或更多个电弧室可以彼此大体上相同。
公开/授权文献
- CN113692636A 多电弧室的源 公开/授权日：2021-11-23
