高功率晶圆冷却
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113811976B

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202080031600.8

    申请日:2020-04-30

    摘要: 一种用于离子注入系统的气体产生系统,具有配置成在壳体内产生氢气的氢气产生器。夹盘,例如静电夹盘,支撑在离子注入系统的终端站中的工件,并且输送系统向夹盘提供氢气。氢气可以通过夹盘而提供至工件的背面。传感器可以检测壳体内氢气的存在。控制器可以控制氢气产生器。排气系统可以使空气通过壳体,以防止氢气在壳体内积聚。吹扫气体系统向壳体提供稀释气体。连锁系统可基于来自一个或多个传感器的信号控制氢气产生器、输送系统、吹扫气体系统和排气系统以减少氢气释放。

    通过腔室泵抽和吹扫降低释气对处理腔室的影响

    公开(公告)号:CN111566795B

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN201980007890.X

    申请日:2019-01-30

    发明人: 约翰·巴格特

    摘要: 本发明涉及一种工件处理系统,其具有耦接至释气腔室的处理腔室。释气腔室阀选择性使处理环境与相应的处理腔室和释气腔室内限定的释气环境隔离。加热器选择性使释气腔室中的工件支撑件上的工件加热到第一预定温度。真空源选择性使释气腔室减压到第一预定压力。工件传送设备选择性在释气腔室与处理腔室之间传送工件。控制器通过释气腔室阀来隔离释气腔室中的工件,并且控制器配置成通过相应的加热器和真空源而同时使工件加热到第一预定温度并使释气腔室减压到第一预定压力。在第一时间段内使工件保持第一预定温度和第一预定压力,该第一时间段与预定释气阈值相关联。

    用于离子源壳体的氢气排气

    公开(公告)号:CN112106167B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN201980030883.1

    申请日:2019-05-13

    摘要: 用于离子注入系统的终端系统(102)具有离子源(108),该离子源具有壳体和包括一个或多个孔板的提取电极组件。气体箱(152)电耦接至离子源。气体源(148)在气体箱内,以与离子源组件基本相同的电位提供气体。排气导管(154、172、174)将气体引入到位于离子源的壳体的内部和至少一个孔板的上游的区域。排气导管具有一个或多个贯穿离子源组件的主体延伸的馈通件,例如位于离子源的安装凸缘中的孔。安装凸缘可以是具有通道的管状部。排气导管可以进一步具有限定为气体分配环(174)的气体分配设备(172)。气体分配环通常可以环绕安装凸缘的管状部。

    延长寿命的双间接加热阴极离子源

    公开(公告)号:CN117981037A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202280063392.9

    申请日:2022-06-29

    摘要: 离子源具有电弧室,该电弧室具有第一端和第二端。在电弧室的第一端处的第一阴极具有第一阴极主体和布置在第一阴极主体内的第一灯丝。在电弧室的第二端处的第二阴极具有第二阴极主体和布置在第二阴极主体内的第二灯丝。灯丝开关基于灯丝开关的位置选择性地将灯丝电源分别电耦合到第一灯丝和第二灯丝中的每一个。控制器控制灯丝开关的位置,以基于预定标准在多个切换周期内使灯丝电源的电耦合在第一灯丝和第二灯丝之间交替。预定标准可以是第一灯丝和第二灯丝的运行的持续时间。

    使用动态阈值进行电弧检测的系统和方法

    公开(公告)号:CN113169018B

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN201980079859.7

    申请日:2019-11-06

    发明人: 尤瑟夫·努里

    摘要: 本发明涉及快速熄灭可以在与离子源相关联的高压电极之间形成的电弧的电路、系统和方法,以缩短电弧的持续时间并减轻非均匀离子注入。在一个示例中,用于检测离子注入系统中的电弧的电弧检测电路包括模数转换器(ADC)和分析电路。ADC配置成将感测电流转换为数字电流信号,其中,感测电流表示供应到离子注入系统中的电极的电流,数字电流信号对该感测电流进行量化。分析电路配置成对数字电流信号进行分析,以确定数字电流信号是否满足阈值参数值,并且响应于数字电流信号满足阈值参数值,向触发控制电路提供电弧检测信号,触发控制电路激活灭弧机构。

    混合能量离子注入
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117941024A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202280053614.9

    申请日:2022-08-04

    IPC分类号: H01J37/317 H01J37/147

    摘要: 离子注入系统和方法在串联单工件终端站中跨工件注入变化的离子束能量,其中加速/减速级的电极、弯曲电极和/或能量过滤器控制离子束到工件的最终能量或路径。弯曲电极或能量过滤器可以是加速/减速级的一部分,或可以位于下游。扫描装置扫描离子束和/或工件,并且电源向电极提供变化的电偏置信号。控制器基于工件处的所需的离子束能量选择性地改变与离子束和/或工件通过离子束的扫描同时发生的电偏置信号。波形发生器可以提供变化并且使供应至加速/减速级、弯曲电极和/或能量过滤器的电偏置信号同步。

    使用氯基离子源材料时的共伴氢气

    公开(公告)号:CN115803842A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202180049630.6

    申请日:2021-07-12

    IPC分类号: H01J37/08

    摘要: 本发明提供一种离子注入系统,其包括三氯化铝源材料。离子源配置为离子化所述三氯化铝源材料并形成离子束。三氯化铝源材料的离子化进一步形成包含含氯的非导电材料的副产物。引氢装置配置为将含氢的还原剂引入所述离子源。所述还原剂配置为改变所述非导电材料的化学性质,以产生挥发性气体副产物。束线总成配置为选择性地输送所述离子束,以及终端站配置为接受所述离子束以将离子注入到工件中。

    镧钨离子源及束线组件
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109075000B

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN201780025607.7

    申请日:2017-05-15

    IPC分类号: H01J37/08 H01J37/317

    摘要: 本发明提供一种离子注入系统,其具有一个或多个导电组件,所述导电组件由镧钨以及与预定百分比的稀土金属形成合金的耐熔金属中的一种或多种组成。所述导电组件可以是离子源的组件,诸如阴极、阴极护罩、推斥极、内衬、孔板、电弧腔室主体和撞击板中的一个或多个。所述孔板可以与引出孔径、抑制孔径和接地孔径中的一个或多个相关联。

    用于离子注入系统的改进的电荷剥离

    公开(公告)号:CN113853667A

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN202080037929.5

    申请日:2020-05-28

    发明人: 舒·佐藤

    摘要: 离子注入系统具有从射束物质产生离子以形成离子束的源,质量分析器对离子束进行质量分析。加速器接收具有处于第一电荷状态的离子的离子束并且使具有处于第二正电荷状态的离子的离子束射出。加速器具有电荷剥离器、气体源和多个加速器级。电荷剥离器将离子从第一电荷状态转换至第二电荷状态。气体源向电荷剥离器提供诸如六氟化物的高分子量气体,该多个加速器级分别加速离子。终端站支撑将在第二电荷状态下注入离子的工件。