- 专利标题: 一种高熵二硼化物-碳化硅复相陶瓷、制备方法及其应用
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申请号: CN202110866044.2申请日: 2021-07-29
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公开(公告)号: CN113698209B公开(公告)日: 2023-01-06
- 发明人: 王东 , 冉松林 , 丁祥 , 金星 , 李庆归
- 申请人: 安徽工业大学科技园有限公司
- 申请人地址: 安徽省马鞍山市经济技术开发区(示范园区)嘉善科技园1号科研楼
- 专利权人: 安徽工业大学科技园有限公司
- 当前专利权人: 安徽工业大学科技园有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省马鞍山市经济技术开发区(示范园区)嘉善科技园1号科研楼
- 代理机构: 合肥昊晟德专利代理事务所
- 代理商 王林
- 主分类号: C04B35/573
- IPC分类号: C04B35/573 ; C04B35/58 ; C04B35/626 ; C04B35/645
摘要:
本发明涉及复相陶瓷技术领域,具体涉及一种高熵二硼化物‑碳化硅复相陶瓷、制备方法及其应用;该复相陶瓷包括如下摩尔组分的混合料:过渡金属碳化物(碳化钛、碳化锆、碳化铪、碳化铌、碳化钽、碳化钒、碳化铬、碳化钼、碳化钨)中的5~9种,每种0~1份,碳化硼粉2.5~9份,硅粉7.5~18份,碳化硅粉0~27份;该高熵二硼化物‑碳化硅复相陶瓷密度<5.3g/cm3,致密度≥95%,维氏硬度Hv5≥19GPa;本发明实现了轻质、高强、高硬高熵二硼化物‑碳化硅复相陶瓷的快速原位自生制备,且烧结温度低,因而在超高温材料、超硬材料、陶瓷刀具等领域具有广泛的应用前景。
公开/授权文献
- CN113698209A 一种高熵二硼化物-碳化硅复相陶瓷、制备方法及其应用 公开/授权日:2021-11-26