本发明涉及一种GaN器件的制作方法以及一种GaN器件。本发明所述的GaN器件的制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上生长一层缓冲层；在所述缓冲层上生长一层第一GaN层；在所述第一GaN层上生长一层AlGaN层；在所述AlGaN层上再生长一层第二GaN层；将上述步骤得到的晶圆翻转，使得所述半导体衬底朝上；依次移除所述半导体衬底和所述缓冲层；对所述第一GaN层进行减薄处理，并定义所述第一GaN层的图案；在所述第一GaN层上生长一层绝缘层，并对所述绝缘层进行平坦化处理；在所述绝缘层上制备电极。本发明方法通过在原本的晶圆背面制备氮化镓晶体管需要的源极、漏极、栅极，以减少晶体管原生的晶格缺陷，大幅提升最终产品的性能、优良率以及可靠性。