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公开(公告)号：CN118348385A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410260586.9
申请日：2024-03-07
申请人： 洪启集成电路(珠海)有限公司
摘要： 本申请提供一种芯片密码获取方法、装置、存储介质和计算机设备，方法包括：获取目标芯片和目标芯片的电路图；目标芯片包括多个晶体管组；根据电路图，获得各个晶体管组的电极节点所对应的目标层，对目标芯片进行去层处理，使目标层外露；通过位于目标层的各个晶体管组的电极节点，获取各个晶体管组的电性参数；根据电性参数，获得各个晶体管组对应的字符数据；根据字符数据，获得目标芯片的芯片密码。本申请可以高效准确地检测出目标芯片的芯片密码。
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公开(公告)号：CN117397002A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202280032253.X
申请日：2022-11-02
申请人： 东华大学 , 洪启集成电路(珠海)有限公司
IPC分类号： H01L21/033
摘要： 本发明涉及一种半导体器件的质量改善方法、装置及高能粒子束光刻设备，该方法通过获取灰度图片中目标像素点组成的连通区域以及各个连通区域的宽度，根据各个连通区域的宽度所在的宽度区间以及宽度区间与高能粒子束束斑大小的对应关系，获取高能粒子束光刻设备雕刻各个连通区域对应的图案时的目标高能粒子束束斑值；根据与目标高能粒子束束斑值对应的预设的高能粒子束加工参数与灰度值之间的对应关系，获取各个连通区域内像素点对应的高能粒子束加工参数，从而使得高能粒子束光刻设备在雕刻宽度较大的连通区域时，采用更大的高能粒子束束斑，在雕刻宽度较小的连通区域时，采用更小的高能粒子束束斑。相对于现有技术，该方法在提高半导体器件加工精度的同时，保证了加工效率。
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公开(公告)号：CN113990825B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202111232155.4
申请日：2021-10-22
申请人： 洪启集成电路(珠海)有限公司
IPC分类号： H01L23/373 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明涉及一种GaN器件的制作方法以及一种GaN器件。本发明所述的一种GaN器件的制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长一层缓冲层；在所述缓冲层上生长一层第一GaN层；在所述第一GaN层上生长一层AlGaN层；在所述AlGaN层上再生长一层第二GaN层；在所述第二GaN层上生长一层金属基层；将上述步骤得到的晶圆翻转，使得所述半导体衬底朝上；依次移除所述半导体衬底和所述缓冲层；对所述第一GaN层进行减薄处理，并定义所述第一GaN层的图案；在所述第一GaN层上生长一层第一绝缘层，并对所述第一绝缘层进行平坦化处理；在所述第一绝缘层上制备电极。本发明所述的一种GaN器件的制作方法具有增强GaN器件散热能力的优点。
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公开(公告)号：CN114864372A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210466010.9
申请日：2022-04-29
申请人： 洪启集成电路(珠海)有限公司
发明人： 蒋军浩 , 袁元 , 张启华 , 江慧英 , 其他发明人请求不公开姓名
摘要： 本发明涉及一种二次离子质谱仪的真空腔内传递样品的装置。本发明包括样品台、样品托和磁传递杆；样品台用于固定于二次离子质谱仪的样品室移动台上，样品台包括固定底座以及设置于固定底座上的左侧壁、右侧壁和后侧壁，左侧壁、右侧壁和后侧壁围合形成安装槽；样品托设置于安装槽内，样品托中部贯穿设置有容置腔，容置腔用于固定装有多个样品的样品装载装置，样品托的前端面设置有装配槽；磁传递杆包括底板和杆部，杆部的一端与底板的板面固定连接，底板可拆卸的固定于装配槽内，磁传递杆用于带动样品托于样品台前侧的方向进入或移出安装槽。本发明结构简单，操作方便，定位精确，能够有效在真空环境下将样品送至指定区域并取出。
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公开(公告)号：CN113745107A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111042904.7
申请日：2021-09-07
申请人： 洪启集成电路(珠海)有限公司
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778
摘要： 本发明涉及一种GaN器件的制作方法以及一种GaN器件。本发明所述的GaN器件的制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上生长一层缓冲层；在所述缓冲层上生长一层第一GaN层；在所述第一GaN层上生长一层AlGaN层；在所述AlGaN层上再生长一层第二GaN层；将上述步骤得到的晶圆翻转，使得所述半导体衬底朝上；依次移除所述半导体衬底和所述缓冲层；对所述第一GaN层进行减薄处理，并定义所述第一GaN层的图案；在所述第一GaN层上生长一层绝缘层，并对所述绝缘层进行平坦化处理；在所述绝缘层上制备电极。本发明方法通过在原本的晶圆背面制备氮化镓晶体管需要的源极、漏极、栅极，以减少晶体管原生的晶格缺陷，大幅提升最终产品的性能、优良率以及可靠性。
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公开(公告)号：CN118213522A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410220226.6
申请日：2024-02-28
申请人： 洪启集成电路(珠海)有限公司
摘要： 本发明提供一种高熵钠离子电池正极材料及其制备方法，化学式为NaNi0.3Fe0.2Mn0.39Cu0.05Mg0.05Ti0.01O2，所述高熵钠离子电池正极材料为将将钠源、镍源、铁源、锰源、铜源、镁源及钛源混合研磨并煅烧得到。本发明的高熵钠离子电池正极材料中，调控组分及化学计量比，通过研磨并煅烧，形成致密的高熵钠离子电池正极材料，具有优良的压实密度和离子传导率以及优秀的循环性能。本发明的高熵钠离子电池正极材料控制掺杂用量，在钠离子晶体结构中微量掺杂，有利于提高电容量。
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公开(公告)号：CN114927410B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210258895.3
申请日：2022-03-16
申请人： 洪启集成电路(珠海)有限公司
IPC分类号： H01L21/033 , H01J37/317
摘要： 本发明涉及一种半导体器件的加工控制方法、装置及高能粒子束光刻设备，该方法将若干层集成电路子版图分别转化为灰度图片/数字文件，根据高能粒子束加工参数与灰度值/目标参数值之间的对应关系，获取灰度图片/数字文件中各像素点对应的高能粒子束加工参数，在目标基材上每制作完一层材料层之后，再在该层材料层上设置一层硬掩模，根据高能粒子束加工参数，控制光刻设备发射高能粒子束穿过硬掩模作用于该层材料层上，雕刻灰度图片/数字文件对应的图案至该层材料层，之后去除该层材料层上的硬掩模，依次制作下一层材料层，重复执行上述步骤，直至去掉最后一层材料层上的硬掩模，得到目标半导体器件，从而提高了半导体器件加工精度。
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公开(公告)号：CN114664634A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210125281.8
申请日：2022-02-10
申请人： 洪启集成电路(珠海)有限公司
摘要： 本发明涉及一种二次离子质谱仪中的浸没透镜及聚焦二次离子的方法，浸没透镜设置于二次离子质谱仪内，包括衬底圆盘、第一电极组件和绝缘安装组件，衬底圆盘用于作为第二电极，衬底圆盘上设置有安装槽，安装槽用于安装第一电极组件；衬底圆盘连接正电压，第一电极组件连接负电压，或者，衬底圆盘连接负电压，第一电极组件连接正电压，两电极间产生弧形电场。该方法将一次离子束通过衬底圆盘上的离子入射孔轰击样品表面，使得样品表面逸出二次离子，通过两电极间的弧形电场使二次离子产生偏转，使得二次离子聚焦一点。本发明结构简单，最大程度收集到二次离子，得到更强的离子束信号，方便后续的采集分析，并能够实现离子能量，离子方向双聚焦。
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公开(公告)号：CN113990825A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111232155.4
申请日：2021-10-22
申请人： 洪启集成电路(珠海)有限公司
IPC分类号： H01L23/373 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明涉及一种GaN器件的制作方法以及一种GaN器件。本发明所述的一种GaN器件的制作方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长一层缓冲层；在所述缓冲层上生长一层第一GaN层；在所述第一GaN层上生长一层AlGaN层；在所述AlGaN层上再生长一层第二GaN层；在所述第二GaN层上生长一层金属基层；将上述步骤得到的晶圆翻转，使得所述半导体衬底朝上；依次移除所述半导体衬底和所述缓冲层；对所述第一GaN层进行减薄处理，并定义所述第一GaN层的图案；在所述第一GaN层上生长一层第一绝缘层，并对所述第一绝缘层进行平坦化处理；在所述第一绝缘层上制备电极。本发明所述的一种GaN器件的制作方法具有增强GaN器件散热能力的优点。
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公开(公告)号：CN118516589A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410402975.0
申请日：2024-04-03
申请人： 洪启集成电路(珠海)有限公司
摘要： 本发明提供一种Mg3Sb2基热电合金及其制备方法，所述Mg3Sb2基热电合金的化学式为MgaSb0.5Bi1.49Te0.01Yx，a的取值为3‑3.2；其中Mg3Sb2基热电合金为Mg、Sb、Bi、Te和Y经过混合研磨后在一定烧结温度和烧结压力下进行放电等离子体烧结得到。本发明的Mg3Sb2基热电合金中，Bi、Te的掺杂形成Mg3Sb2和Mg3Bi2固溶，从而将ZT值的极点移向室温，并通过Y掺杂在镁空位跨层迁移路径上形成阻碍，使镁空位难以迁移并在晶界处积累，提高载流子迁移效率及室温热电性能。
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