- 专利标题: 一种基于SIW技术的高隔离双频段极化可重构天线
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申请号: CN202111045374.1申请日: 2021-09-07
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公开(公告)号: CN113745817B公开(公告)日: 2024-04-19
- 发明人: 唐明春 , 孟奥运 , 陈晓明 , 丁卓富 , 李梅 , 易达
- 申请人: 重庆大学
- 申请人地址: 重庆市沙坪坝区沙正街174号
- 专利权人: 重庆大学
- 当前专利权人: 重庆大学
- 当前专利权人地址: 重庆市沙坪坝区沙正街174号
- 代理机构: 北京振邦京华专利代理事务所
- 代理商 胡柯
- 主分类号: H01Q1/36
- IPC分类号: H01Q1/36 ; H01Q1/50 ; H01Q1/48 ; H01Q13/10 ; H01Q9/04 ; H01Q15/24 ; H01Q1/52
摘要:
本发明提供一种基于SIW技术的高隔离双频段极化可重构天线,包括有馈电层结构、辐射层结构、扇形枝节直流偏置结构,辐射层结构通过银浆对齐的粘接在馈电层结构的上方,用于实现天线直流偏置的扇形枝节直流偏置结构设置在馈电层结构上,馈电层结构包括由若干第一金属通孔和分别位于馈电层结构上、下两端的上、下层金属地板构成的基片集成波导馈电层金属腔体,上层金属地板上开设有极化可重构缝隙,辐射层结构包括由贯穿辐射层结构的若干第二金属通孔构成的基片集成波导辐射层金属腔体;本发明的天线具有双频带、高隔离、定向辐射、极化可重构的优势。
公开/授权文献
- CN113745817A 一种基于SIW技术的高隔离双频段极化可重构天线 公开/授权日:2021-12-03