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公开(公告)号：CN113745818B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111053070.X
申请日：2021-09-07
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明提供一种四频段极化可重构共口径相控阵天线，包括工作在S\C波段的若干低频双频天线单元以及工作在X\Ku波段的若干高频双频天线单元；低频双频天线单元采用均匀三角布阵方式布阵，高频双频天线单元采用稀疏布阵方式布阵；所述高、低频的双频天线单元均在天线馈电结构处加载PIN管实现两种线极化可重构；本发明仅用一套本方案的相控阵天线阵面设备，可以实现四个频段极化可重构功能，可以实现往往多套相控阵设备具备的功能，减少了所需要的TR通道数量，极大地降低了相控阵系统的成本。
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公开(公告)号：CN113745818A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111053070.X
申请日：2021-09-07
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明提供一种四频段极化可重构共口径相控阵天线，包括工作在S\C波段的若干低频双频天线单元以及工作在X\Ku波段的若干高频双频天线单元；低频双频天线单元采用均匀三角布阵方式布阵，高频双频天线单元采用稀疏布阵方式布阵；所述高、低频的双频天线单元均在天线馈电结构处加载PIN管实现两种线极化可重构；本发明仅用一套本方案的相控阵天线阵面设备，可以实现四个频段极化可重构功能，可以实现往往多套相控阵设备具备的功能，减少了所需要的TR通道数量，极大地降低了相控阵系统的成本。
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公开(公告)号：CN113745817B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202111045374.1
申请日：2021-09-07
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明提供一种基于SIW技术的高隔离双频段极化可重构天线，包括有馈电层结构、辐射层结构、扇形枝节直流偏置结构，辐射层结构通过银浆对齐的粘接在馈电层结构的上方，用于实现天线直流偏置的扇形枝节直流偏置结构设置在馈电层结构上，馈电层结构包括由若干第一金属通孔和分别位于馈电层结构上、下两端的上、下层金属地板构成的基片集成波导馈电层金属腔体，上层金属地板上开设有极化可重构缝隙，辐射层结构包括由贯穿辐射层结构的若干第二金属通孔构成的基片集成波导辐射层金属腔体；本发明的天线具有双频带、高隔离、定向辐射、极化可重构的优势。
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公开(公告)号：CN113745817A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111045374.1
申请日：2021-09-07
申请人： 重庆大学
摘要： 本发明提供一种基于SIW技术的高隔离双频段极化可重构天线，包括有馈电层结构、辐射层结构、扇形枝节直流偏置结构，辐射层结构通过银浆对齐的粘接在馈电层结构的上方，用于实现天线直流偏置的扇形枝节直流偏置结构设置在馈电层结构上，馈电层结构包括由若干第一金属通孔和分别位于馈电层结构上、下两端的上、下层金属地板构成的基片集成波导馈电层金属腔体，上层金属地板上开设有极化可重构缝隙，辐射层结构包括由贯穿辐射层结构的若干第二金属通孔构成的基片集成波导辐射层金属腔体；本发明的天线具有双频带、高隔离、定向辐射、极化可重构的优势。
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