硫系玻璃红外电磁屏蔽窗口及其制备方法
摘要:
本发明是关于硫系玻璃红外电磁屏蔽窗口及其制备方法,该制备方法包括:在硫系玻璃基体上形成Ge膜,再在所述的Ge膜上形成碳膜,得到成膜产品;在形成膜的过程中,控制所述的硫系玻璃基体的温度为70~180℃;将所述的成膜产品降低至室温,在硫系玻璃基体形成Ge膜和碳膜的凸起;将所述的凸起去除,在凸起去除后的槽内及碳膜表面形成导电膜,所述的导电膜的厚度与所述的Ge膜的厚度相同;将得到的产品进行等离子体刻蚀,然后放入水中,碳膜及其表面的导电膜脱落,得到硫系玻璃红外电磁屏蔽窗口。本发明无需使用价格昂贵的激光刻蚀仪器,也无需使用光刻胶,简化了工艺流程,同时降低了生产成本。
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