发明授权
- 专利标题: 硫系玻璃红外电磁屏蔽窗口及其制备方法
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申请号: CN202111136757.X申请日: 2021-09-27
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公开(公告)号: CN113754313B公开(公告)日: 2023-06-30
- 发明人: 金扬利 , 陈玮 , 周鹏 , 刘永华 , 何坤 , 祖成奎 , 赵华
- 申请人: 中国建筑材料科学研究总院有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区管庄东里1号
- 专利权人: 中国建筑材料科学研究总院有限公司
- 当前专利权人: 中国建筑材料科学研究总院有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区管庄东里1号
- 代理机构: 北京鼎佳达知识产权代理事务所
- 代理商 张晓萍; 刘铁生
- 主分类号: C03C17/36
- IPC分类号: C03C17/36 ; G01V8/10
摘要:
本发明是关于硫系玻璃红外电磁屏蔽窗口及其制备方法,该制备方法包括:在硫系玻璃基体上形成Ge膜,再在所述的Ge膜上形成碳膜,得到成膜产品;在形成膜的过程中,控制所述的硫系玻璃基体的温度为70~180℃;将所述的成膜产品降低至室温,在硫系玻璃基体形成Ge膜和碳膜的凸起;将所述的凸起去除,在凸起去除后的槽内及碳膜表面形成导电膜,所述的导电膜的厚度与所述的Ge膜的厚度相同;将得到的产品进行等离子体刻蚀,然后放入水中,碳膜及其表面的导电膜脱落,得到硫系玻璃红外电磁屏蔽窗口。本发明无需使用价格昂贵的激光刻蚀仪器,也无需使用光刻胶,简化了工艺流程,同时降低了生产成本。
公开/授权文献
- CN113754313A 硫系玻璃红外电磁屏蔽窗口及其制备方法 公开/授权日:2021-12-07