一种电场耦合下KPFM原位测试二维材料异质结电学性能的方法，属于扫描探针显微镜成像领域。所述方法具体为：在带有300nm氧化层的硅片基底上利用热蒸镀的方法制备两个Cr/Au电极，两个电极之间的距离为5‑30um；通过键合机将金线与Cr/Au电极相连，随后金线直接与外接源表连接，利用外接源表对二维材料异质结施加直流电压，在外加电场的作用下利用扫描探针显微镜原位观察二维材料及其异质结构的形貌及其电学特性。本发明构筑了二维材料异质结构的器件，通过外接源表，原位测试二维材料及其异质结构在电场调控下其形貌与电学性能的变化，对理解分析二维材料异质结界面处能带排列及界面处的电荷转移机制具有重要的意义。