发明公开
- 专利标题： 一种在隔离层加内嵌N+注入区的单向可控硅静电防护器件
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申请号： CN202010489155.1申请日： 2020-06-02
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公开(公告)号： CN113764400A公开(公告)日： 2021-12-07
- 发明人: 李幸 , 曹佩 , 汪洋 , 金湘亮 , 董鹏
- 申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司
- 申请人地址： 湖南省长沙市长沙经济技术开发区螺丝塘路德普企业公元6栋C座303
- 专利权人： 湖南静芯微电子技术有限公司
- 当前专利权人： 湖南静芯微电子技术有限公司
- 当前专利权人地址： 湖南省长沙市长沙经济技术开发区螺丝塘路德普企业公元6栋C座303
- 代理机构： 深圳市沈合专利代理事务所
- 代理商 沈祖锋
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02 ; H01L29/06 ; H01L29/74
摘要：
本发明公开了一种在隔离层加内嵌N+注入区的单向可控硅静电防护器件，本发明通过在浅N阱中加入与阳极相连的N+注入区，器件反向导通时，与阴极形成寄生二极管，使得反向路径不必经过隔离环，静电倾向于从寄生二极管泄放，从而降低反向导通路径的导通电阻，可有效提高器件的反向失效电流和反向电流泄放能力；本发明的单向可控硅器静电释放器件具有低导通电阻的特点，可在有效提高器件的反向失效电流和反向电流泄放能力的同时实现高防护等级。
IPC分类:
