公开(公告)号：CN109994466B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201910246694.X

申请日：2019-03-29

申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司

发明人： 汪洋 ,  芦俊 ,  骆生辉 ,  董鹏 ,  金湘亮

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了一种低触发高维持可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底上设有N型深阱；N型深阱中从左至右设有P阱和N阱；P阱中从左至右设有第一P+注入区、第一N+注入区；P阱和N阱之间设有第二N+注入区；N阱中从左至右设有第三N+注入区和第二P+注入区；第二N+注入区与第三N+注入区之间用导线串联一个电阻和N型MOS管，N型MOS管的衬底接地，N型MOS管的栅接ESD侦测电路。本发明通过外接电路，为寄生PNP三极管的基区提供触发电流，使得寄生PNP更易开启，则SCR泄放路径也更易开启；另外，re由侦测电路控制，不会导致器件正常工作时被误触发。

公开(公告)号：CN108461491B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201810249187.7

申请日：2018-03-21

申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司

发明人： 汪洋 ,  关健 ,  骆生辉 ,  董鹏 ,  金湘亮

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明公开了一种高维持电压的低触发双向可控硅静电防护器件，包括P型衬底，P型衬底内设有N深阱；N型深阱内设有第一P阱和第二P阱；第一P阱内设有第一P+注入区、第二P+注入区、第一N+注入区；第二P阱内设有第二N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区；所述第二P+注入区、第一N+注入区连接在一起并作为器件的阳极；所述第二N+注入区、第三P+注入区连接在一起并作为器件的阴极。本发明具有双向泄放静电的能力，可同时用于信号电平低于地和高于地的集成电路输入输出引脚的静电防护，在不增加额外面积和降低器件导通能力的前提下，保证器件具有低触发电压的同时还具有较高的维持电压，从而使得器件具有优良的ESD窗口。

公开(公告)号：CN108520875A

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201810578321.8

申请日：2018-06-07

申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司

发明人： 汪洋 ,  骆生辉 ,  陈锡均 ,  金湘亮 ,  董鹏

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L23/60 ,  H01L29/747

摘要： 本发明公开了一种高维持电压NPNPN型双向可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型埋层；N型埋层上设有第一N型深阱、高压N阱、第二N型深阱；高压N阱上设有第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱、第三N阱、第三P阱和第四N阱；第一P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区；第三P阱内设有第三N+注入区、第四N+注入区、第二P+注入区。本发明在两个N阱之间加入一个P阱，P阱的厚度刚好与左右两边的N阱耗尽而形成具有一定电阻的通路，能够使得双向SCR结构在雪崩击穿导通后具有一个较高的维持电压，有效的防止静电释放器件在导通后因维持电压低而锁住的问题。

公开(公告)号：CN108336085A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810234055.7

申请日：2018-03-21

申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司

发明人： 汪洋 ,  郑亦菲 ,  董鹏 ,  骆生辉 ,  金湘亮

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明公开了一种栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底内设有P阱和N型深阱；P阱内设有第一P+注入区、第一N+注入区、第一Poly注入层、第二P+注入区，第二Poly注入层跨接在P阱和N型深阱之间，N型深阱内设有第二N+注入区、第三P+注入区、第三N+注入区，所述第一N+注入区、第一P+注入区、第一Poly注入层、第二Poly注入层连接在一起作为器件的阴极；所述第三P+注入区和第四N+注入区连接在一起作为器件的阳极。本发明的可控硅静电防护器件在其栅极嵌入悬浮P+层，可在降低器件触发电压的同时增强器件维持电压，且不改变器件面积，可使用标准工艺与被保护电路片上集成。

公开(公告)号：CN110690214B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201911095673.9

申请日：2019-11-11

申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司

发明人： 汪洋 ,  曹佩 ,  董鹏 ,  金湘亮 ,  李幸

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/78

摘要： 本发明实施例提供一种多叉指LDMOS‑SCR静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型深阱；N型深阱内设有第一P阱、第一P阱和第二P阱之间的N型深阱、第二P阱、第二P阱和第三P阱之间的N型深阱、第三P阱、第三P+阱和第四P阱之间的N型深阱以及第四P阱；第一P阱内设有第一P+注入区和第一N+注入区；第二P阱内设有第四P+注入区、第三N+注入区、第五P+注入区、第四N+注入区和第六P+注入区；第三P阱内设有第九P+注入区和多个N+注入区Ⅱ，第四P阱内设有第九N+注入区和多个P+注入区Ⅴ，如此，相对于传统多叉指LDMOS‑SCR器件，本发明在增加器件指数的同时，提高多叉指LDMOS‑SCR的导通均匀性，进而提高多叉指LDMOS‑SCR的鲁棒性。

公开(公告)号：CN115602679A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202110775154.8

申请日：2021-07-08

申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司(CN)

发明人： 汪洋 ,  邓志勤 ,  金湘亮 ,  董鹏 ,  李幸 ,  骆生辉

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/82

摘要： 本发明实施例提供一种低压带栅单向可控硅静电防护器件及其制备方法，包括：P型衬底；P型衬底中设有N型埋层、N型深阱区和P型深阱区；N型深阱包括第一N阱，P型深阱包括第二P阱，N型深阱和第一N阱不等宽，P型深阱和第二P阱不等宽；第一N阱上有第一N+注入、第二P+注入、第三N+注入；N型深阱上有第四P+注入；P型深阱上设有第二P阱；第五N+注入的左部在N型深阱上，右部在P型深阱上和第二P阱上；第六N+注入的左部在第二P阱上，右部在P型深阱上；P型深阱上有第七P+注入；多晶硅栅极在第二P阱上；P型深阱的两个电极和第二P阱上的一个栅极电极均连接在一起并作为器件的阴极，第一N阱里的两个电极均连接在一起作为器件的阳极。

公开(公告)号：CN113764403A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202010489589.1

申请日：2020-06-02

申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司

发明人： 骆生辉 ,  魏伟鹏 ,  汪洋 ,  金湘亮 ,  董鹏

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/74 ,  H01L29/749 ,  H01L21/332 ,  H01L21/8249

摘要： 本发明公开了一种阻容耦合快速开启的可控硅静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型埋层；N型埋层上方为第一N型深阱、第二N型深阱和P型衬底外延层P‑EPI；第二N型深阱上有N阱；P型衬底外延层P‑EPI上有第二P阱；第二P阱内设有第二P+注入区和内嵌N型MOS管，第N阱内设有横跨第二P阱与N阱的第二N+注入区、第三P+注入区与第三N+注入区；第一N型深阱、第二N型深阱、N阱与N型埋层构成N型隔离带；第一P+注入区、第二P+注入区、第四P+注入区和第一N+注入区连接在一起并作为器件的阴极，第三P+注入区与第三N+注入区Ⅱ连接在一起并作为器件的阳极。

公开(公告)号：CN110690214A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201911095673.9

申请日：2019-11-11

申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司

发明人： 汪洋 ,  曹佩 ,  董鹏 ,  金湘亮 ,  李幸

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/78

摘要： 本发明实施例提供一种多叉指LDMOS-SCR静电防护器件，包括P型衬底；P型衬底中设有N型深阱；N型深阱内设有第一P阱、第一P阱和第二P阱之间的N型深阱、第二P阱、第二P阱和第三P阱之间的N型深阱、第三P阱、第三P+阱和第四P阱之间的N型深阱以及第四P阱；第一P阱内设有第一P+注入区和第一N+注入区；第二P阱内设有第四P+注入区、第三N+注入区、第五P+注入区、第四N+注入区和第六P+注入区；第三P阱内设有第九P+注入区和多个N+注入区Ⅱ，第四P阱内设有第九N+注入区和多个P+注入区Ⅴ，如此，相对于传统多叉指LDMOS-SCR器件，本发明在增加器件指数的同时，提高多叉指LDMOS-SCR的导通均匀性，进而提高多叉指LDMOS-SCR的鲁棒性。

公开(公告)号：CN110690213A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201911018742.6

申请日：2019-10-24

申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司

发明人： 汪洋 ,  周子杰 ,  董鹏 ,  金湘亮 ,  李幸

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明实施例提供一种双向可控硅静电防护器件，包括：P型衬底，P型衬底内设有P+注入区、N型埋层及P+注入区，N型埋层上方设有第一N型深阱、第一P阱、N阱、第二P阱及第二N型深阱，第一P阱内设有位置跨在第一N型深阱与第一P阱上的P+注入区、N+注入区及P+注入区，第二P阱内设有P+注入区、N+注入区及位置跨在第二第P阱与第二N型深阱上的P+注入区；如此，该可控硅静电防护器件能基于标准CMOS工艺且片上集成，并且能够在不增加DDSCR器件面积的同时有效的提高DDSCR的维持电压，进而提高片上集成静电防护器件的鲁棒性。

公开(公告)号：CN105633074B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201610134893.8

申请日：2016-03-10

申请人： 湖南静芯微电子技术有限公司

发明人： 汪洋 ,  董鹏 ,  周子杰 ,  金湘亮 ,  关健

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/07 ,  H01L29/74

摘要： 本发明公开了一种由反偏二极管触发的双向可控硅器件，其器件结构由P型衬底；P型衬底上的BN+埋层和高压N阱（HV Nwell）；以及位于高压N阱（HV Nwell）中的P‑body、P‑base、P‑base、P‑body；位于P‑body之中的P+扩散区、N+扩散区、P+扩散区；位于P‑base之中的P+环形扩散区、N+扩散区；位于P‑base之中的P+环形扩散区、N+扩散区；位于P‑body之中的N+扩散区、P+扩散区、P+扩散区构成。本发明为可控硅静电防护器件，具有双向泄放静电的能力和基本对称的正反向静电防护特性；采用二极管反偏的击穿电压触发SCR的开启，有效地降低了SCR的触发电压；在版图的布局上将触发用二极管嵌入到SCR结构中，较大地节省了器件面积。