本发明公开了一种具有动态载流子通道的低损耗超结IGBT器件及其制造方法，器件结构包括：N‑漂移区、P‑掺杂区、空穴阻挡层、P基区、N+源区、P+接触区、P‑沟槽区、第一栅极、源极以及欧姆接触区，P‑掺杂区位于N‑漂移区中，且左右相对；P‑沟槽区位于P‑掺杂区上，且位于空穴阻挡层的两侧，第一栅极和源极之间，并与P‑掺杂区接触；还包括：在N‑漂移区下表面自上而下排布的N‑缓冲区、P+集电区、集电极以及第二栅极，第二栅极，位于N‑漂移区的下表面，且位于N‑缓冲区的两侧。本发明的方案，一方面在提高电导调制效果降低导通功耗的同时也有效提高了器件阻断能力；另一方面增加动态载流子通道能够降低关断时间和关断功耗，并使器件拥有一定的方向阻断能力。